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      JSCJ

      2SB1260

      晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):1uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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      2SB1260 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        1 A
      • 集電極截止電流
        1 μA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@500mA,50mA
        400 mV
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        100 MHz
      • 電流增益 hFE@100mA,3V
        180
      • 晶體管類(lèi)型
        PNP
      • 功率耗散
        500 mW

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-89-3

      2SB1260 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      2SB1260 圖片