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      Vishay

      SIR186LDP-T1-RE3

      N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

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      SIR186LDP-T1-RE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        2.5 V
      • 連續(xù)漏極電流
        80.3 A
      • 輸入偏置電容@30V
        1.98 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@15A,10V
        4.4 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.5 V
      • 柵極電荷@10V
        48 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        5 W, 57 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        PowerPAK-SO-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Y

      SIR186LDP-T1-RE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      SIR186LDP-T1-RE3 圖片

      • Element14

        Element14

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey