Vishay漏極至源極耐壓MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
Vishay TrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻RDS(on)的特性，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗以及功耗。并擁有低柵極總電荷的特性。采用PowerPAK SO-8封裝，能以三分之一的尺寸實(shí)現(xiàn)相近的效率。應(yīng)用于大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流器、太陽(yáng)能微型逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)。
應(yīng)用框圖
特性
源漏極導(dǎo)通電阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω
柵極電荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC
持續(xù)源漏極導(dǎo)通電流(TC=25°C): 241A/ 165A
100%通過(guò)Rg和UIS測(cè)試
材料兼容Pb-free RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
同步整流
初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)
DC/DC轉(zhuǎn)換器
太陽(yáng)能微型逆變器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)
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