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      STMicroelectronics

      STH180N10F3-2

      MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

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      STH180N10F3-2 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        2 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        180 A
      • 輸入偏置電容
        6.665 nF
      • 等級
        Industrial
      • 漏源電阻
        4.5 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        4.5 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷
        114.6 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        25.6 ns
      • 功率耗散
        315 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        99.9 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        6.9 ns
      • 上升時(shí)間
        97.1 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        4
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        4.8 mm
      • 長度
        15.8 mm
      • 寬度
        10.4 mm

      STH180N10F3-2 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • STH180N10F3-2
        1年前
        Huaqiu Chip

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