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Infineon

IKP06N60T

600 V IGBT in TrenchStop? and Fieldstop Technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel EmCon HE Diode, 12 A IC, -40 to 175 degC, PG-TO220-3-1, Tube, Green

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IKP06N60T 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    12 A
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    600 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 1.6 V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間
    123 ns
  • 功率耗散
    88 W

Physical

  • 工作溫度
    -40 °C, 150 °C
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    500
  • 制造商封裝
    TO-220-3

Compliance

  • 無鹵素
    Halogen Free

IKP06N60T EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

IKP06N60T 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • Rev. 2.3
    1年前
    Altium Library
  • 1年前
    Farnell

IKP06N60T 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Farnell

    Farnell