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      NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

      batai ? 來源：batai ? 作者：batai ? 2022-07-13 10:49 ? 次閱讀
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      1.概述

      NP50P06D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計(jì)為低門極提供優(yōu)秀的RDS（ON）沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。

      2.一般特征
      ? VDS=-60 V，ID=-50A
      ? RDS(ON)（典型值）=22 MΩ@VGS=-10V
      ? RDS(ON)（典型值）=27 MΩ@VGS=-4.5V
      ? 超低RDS的高密度電池設(shè)計(jì)
      ? 完全特征的雪崩電壓和電流
      ? 穩(wěn)定性好，均勻性高，EAS高
      ? 散熱性好的優(yōu)秀封裝

      3.應(yīng)用程序

      ? 負(fù)荷開關(guān)

      4.包裝
      pdfn5*6-8L-A

      5.示意圖

      poYBAGLOMpqAMA11AAHlipWQ_5s691.png



      審核編輯 黃昊宇

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