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      3天內不再提示

      STMicroelectronics

      STB21NM60ND

      MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

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      STB21NM60ND 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        17 A
      • 輸入偏置電容
        1.8 nF
      • 漏源電阻
        220 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導通電阻
        220 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵極電荷@10V
        60 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        18 ns
      • 功率耗散
        140 W
      • 關閉延遲時間
        70 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        48 ns
      • 上升時間
        16 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        D2PAK

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        4.6 mm
      • 長度
        10.75 mm
      • 寬度
        10.4 mm

      STB21NM60ND 數據手冊

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      • 1年前
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      STB21NM60ND 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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