E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)包含SGZ21（華瑞高）突發(fā)脈沖發(fā)生器，

SGZ21能產(chǎn)生連續(xù)的類似于Burst或者ESD的干擾脈沖，

脈沖的上升沿時間為2ns，下降沿時間為約10ns。

這些脈沖包含的能量比2/50ns的Burst脈沖【根據(jù)EN 61000-4-4】或ESD【根據(jù)EN 61000-4-2】脈沖小，

因此能在不損壞被測設備的情況下，把干擾直接耦合到電子模塊內(nèi)。

由于SGZ21（ｈｏｒｉｇｏｌ）產(chǎn)生的脈沖，上升沿時間短，峰值電壓也比較低，所以這些干擾對被測設備的影響，是和EN 61000-4-4的Burst脈沖的影響類似的。

      E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)中SGZ21脈沖的幅度是連續(xù)變化的。

峰值在0－1500V之間，是按統(tǒng)計平均分布的。

利用這種方法，配合傳感器能對模塊進行特別快速的抗干擾性能評估（脈沖率測試法－見2.5節(jié)），

為此，發(fā)生器內(nèi)置了一個帶光纖（2.2mm塑料光纖）輸入的計數(shù)器。 
同時SGZ21采用電氣隔離（無PE參考）的對稱輸出。

干擾脈沖能被容性耦合，極性可變。這樣，就能采用各種耦合方式，例如： 
－把發(fā)生器的輸出直接連接到被測物的GND系統(tǒng)上，把干擾電流直接注入到GND系統(tǒng)。 －把干擾電流注入到GND，然后從VCC返回。 
－干擾電流可以注入到變壓器、分配器或者光耦的初級，從次級返回（在工作電壓大于42V時，對SGZ21要有相應的保護） 
連接到發(fā)生器的場源，可以很好的定位被測設備的臨界結構。 

       E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)利用場源，把burst信號轉(zhuǎn)換為很小區(qū)域的磁場或者電場，可以注入到被測設備內(nèi)部很小的區(qū)域內(nèi)，或者單根電纜上。從而準確定位被測設備內(nèi)部電磁敏感點的位置。 

      不同的電路結構，可能會對磁場敏感，也可能會對電場敏感。E1中的場源，有的是產(chǎn)生磁場的，有的是產(chǎn)生電場的，這樣可以確認EUT是對哪種類型的干擾場敏感。場源和SGZ21（華瑞高）的連接方法見圖5。除了場源能產(chǎn)生干擾場之外，連接電纜也會把干擾耦合到EUT并影響測量結果。所以，電纜應該盡可能放置得離EUT遠一些。