RL78/G13
Renesas MCU 
真正的低功率平臺（66μA/MHz，僅使用RTC和LVD操作為0.57μA） 
應(yīng)用程序，具有1.6-V至5.5-V操作，16至512-KBYTE代碼閃存和32 MHz的41個(gè)DMIP 
R01DS0131EJ0370 REV.3.70第1頁，共211頁 
2023年12月22日 
R01DS0131EJ0370
Rev.3.70
2023年12月22日
1。概述 
1.1功能 
超低功耗技術(shù) 
?VDD= 1.6至5.5 V的單電源電壓 
?停止模式 
?停止模式 
?小睡模式 
RL78 CPU核心 
?帶有三階段管道的CISC架構(gòu) 
?最低指令執(zhí)行時(shí)間：可以更改 
高速（0.03125μs： @ 32 MHz操作 使用高速芯片振蕩器）至超低速度 
（30.5μs： @ 32.768 kHz操作與子系統(tǒng) 
鐘） 
?地址空間：1 MB 
?通用寄存器：（8位寄存器×8）×4 
銀行 
?片上RAM：2至32 KB 
代碼閃存 
?代碼閃存：16至512 kb 
?塊大小：1 kb 
?禁止塊擦除和重寫（安全性 
功能） 
?片上調(diào)試功能 
?自行編程（帶有引導(dǎo)交換功能/閃光燈屏蔽 窗口功能） 
數(shù)據(jù)閃存 
?數(shù)據(jù)閃存：4 kb至8 kb 
?后臺操作（BGO）：指令可以是 
重寫程序內(nèi)存執(zhí)行 
數(shù)據(jù)閃存。 
?重寫數(shù)：1,000,000次（典型） 
?重寫電壓：VDD = 1.8至5.5 V 
高速芯片振蕩器 
?從32 MHz，24 MHz，16 MHz，12 MHz，8 MHz中進(jìn)行選擇 
6 MHz，4 MHz，3 MHz，2 MHz和1 MHz 
?高精度：+/- 1.0％（VDD = 1.8至5.5 V，TA = -20 
至 +85°C） 
操作環(huán)境溫度 
?TA= -40至 +85°C（A：消費(fèi)者應(yīng)用，D： 
工業(yè)應(yīng)用） 
?TA= -40至 +105°C（G：工業(yè)應(yīng)用） 
電源管理和重置功能 
?芯片電動機(jī)電源（POR）電路 
?片上電壓檢測器（LVD）（選擇中斷和 
重置14個(gè)級別） 
DMA（直接內(nèi)存訪問）控制器 
?2/4頻道 
?在8/16位之間傳輸期間的時(shí)鐘數(shù) 
SFR和內(nèi)部RAM：2個(gè)時(shí)鐘 
乘法器和分隔線/乘數(shù)蓄積器 
?16位×16位= 32位（未簽名或簽名） 
?32位÷32位= 32位（未簽名） 
?16位×16位 + 32位= 32位（未簽名或 
簽名） 
串行界面 
?簡化的SPI（CSI注1）：2至8個(gè)通道 
?UART/UART（支持Lin-Bus）：2至4個(gè)頻道 
?I2C/簡化的I2C通信：3至10個(gè)頻道
計(jì)時(shí)器 
?16位計(jì)時(shí)器：8至16個(gè)頻道 
?12位間隔計(jì)時(shí)器：1頻道 
?實(shí)時(shí)時(shí)鐘：1頻道（日歷99年， 
警報(bào)功能和時(shí)鐘 
校正功能） 
?看門狗計(jì)時(shí)器：1頻道（可與 
專用的低速片 
振蕩器） 
A/D轉(zhuǎn)換器 
?8/10位分辨率A/D轉(zhuǎn)換器（VDD = 1.6至5.5 V） 
?模擬輸入：6到26個(gè)頻道 
?內(nèi)部參考電壓（1.45 V）和溫度 
傳感器注2
I/O端口 
?I/O端口：16至120（N-CH開放排水I/O [承受 6 V]的電壓：0到4，N-CH開口排放I/O 
[VDD承受電壓筆記3/eVDD承受 電壓注4]：5至25） 
?可以設(shè)置為N-CH開放排水，TTL輸入緩沖區(qū)，然后 片上的上拉電阻 
?不同的潛在接口：可以連接到1.8/2.5/3 
V設(shè)備 
?芯片鑰匙中斷功能 
?片上時(shí)鐘輸出/蜂鳴器輸出控制器 
其他的 
?片上BCD（二進(jìn)制十進(jìn)制）校正電路 
注釋1。盡管CSI功能通常稱為 
SPI，在此產(chǎn)品中也稱為CSI，所以 在本手冊中被稱為。 
2。只能在HS（高速主）中選擇 模式 
3。具有20至52針的產(chǎn)品 
4。具有64至128針的產(chǎn)品 
注釋所安裝的功能取決于產(chǎn)品。 
請參閱1.6功能概述。