--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
1。概述
1.1規(guī)格概述
表1.1列出了規(guī)格,表1.2對(duì)產(chǎn)品的功能進(jìn)行了比較
軟件包。
表1.1適用于功能數(shù)量最多的產(chǎn)品,因此外圍模塊和通道的數(shù)量將
根據(jù)包裝類(lèi)型不同。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參見(jiàn)表1.2,比較不同的功能
RX130組中的軟件包。
表1.1規(guī)格大綱(1/3)
分類(lèi)模塊/功能描述
CPU CPU?最大工作頻率:32 MHz
?32位RX CPU
?最低指令執(zhí)行時(shí)間:每個(gè)時(shí)鐘周期的指令
?地址空間:4-Gbyte線性
?注冊(cè)設(shè)置
通用:十六位32位登記冊(cè)
控制:八個(gè)32位登記冊(cè)
累加器:一個(gè)64位寄存器
?基本說(shuō)明:73(可變長(zhǎng)度指令格式)
?DSP說(shuō)明:9
?地址模式:10
?數(shù)據(jù)安排
說(shuō)明:小恩迪安
數(shù)據(jù):可以選擇為小的endian或大恩迪安
?芯片32位乘數(shù):32位×32位→64位
?片上分隔線:32位÷32位→32位
?槍管變速桿:32位
內(nèi)存ROM?容量:64 K/128 K/256 K/383 K/512 KBYTES
?無(wú)等待記憶訪問(wèn)
?編程/擦除方法:
串行編程(異步串行通信),自我編程
RAM?容量:10 K/16 K/32 K/48 KBYTES
?無(wú)等待記憶訪問(wèn)
E2 Dataflash?容量:8 kbytes
?擦除/寫(xiě)周期的數(shù)量:1,000,000(典型)
MCU操作模式單芯片模式
時(shí)鐘生成電路?主時(shí)鐘振蕩器,子鎖定振蕩器,低速芯片振蕩器,高速芯片振蕩器,
PLL頻率合成器和IWDT夾雜的芯片振蕩器
?振蕩停止檢測(cè):可用
?時(shí)鐘頻率精度測(cè)量電路(CAC)
?系統(tǒng)時(shí)鐘(ICLK),外圍模塊時(shí)鐘(PCLK)和FlashIf時(shí)鐘的獨(dú)立設(shè)置
(FCLK)
CPU和系統(tǒng)部分,例如其他與系統(tǒng)同步運(yùn)行的總線大師
時(shí)鐘(ICLK):32 MHz(最多)
外圍模塊與PCLKB同步運(yùn)行:32 MHz(最多)
Flash外圍電路與FCLK同步運(yùn)行:32 MHz(最多)。
?ICLK頻率只能設(shè)置為FCLK,PCLKB或PCLKD乘以N(n:1,2,4,8,16,32,64)
RESETS RES#PIN重置,電源重置,電壓監(jiān)視重置,獨(dú)立監(jiān)視機(jī)計(jì)時(shí)器重置和
軟件重置
電壓檢測(cè)電壓檢測(cè)電路
(lvdab)
?當(dāng)VCC上的電壓低于電壓檢測(cè)水平時(shí),內(nèi)部重置或內(nèi)部中斷
生成。
電壓檢測(cè)電路0能夠從4個(gè)級(jí)別選擇檢測(cè)電壓
電壓檢測(cè)電路1能夠從14個(gè)級(jí)別選擇檢測(cè)電壓
電壓檢測(cè)電路2能夠從4個(gè)級(jí)別選擇檢測(cè)電壓
低功率
消耗
低功耗
功能
?模塊停止功能
?三種低功耗模式
睡眠模式,深度睡眠模式和軟件待機(jī)模式
較低操作的功能
功耗
?操作電源控制模式
高速操作模式,中速操作模式和低速操作模式
中斷中斷控制器(ICUB)?中斷向量:115
?外部中斷:9(NMI,IRQ0到IRQ7引腳)
?不可掩蓋的中斷:5(NMI引腳,振蕩停止檢測(cè)中斷,電壓監(jiān)視1
中斷,電壓監(jiān)視2中斷,IWDT中斷)
?16個(gè)級(jí)別可用于優(yōu)先順序

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