SPM清洗設備（硫酸-過氧化氫混合液清洗系統(tǒng)）是半導體制造中關鍵的濕法清洗設備，專為去除晶圓表面的有機物、金屬污染及殘留物而設計。其核心優(yōu)勢在于強氧化性、高效清潔與工藝兼容性，廣泛應用于先進制程（如邏輯芯片、存儲芯片、MEMS器件）的清洗環(huán)節(jié)。
核心技術亮點
強氧化性化學配方
采用硫酸（H?SO?）與過氧化氫（H?O?）混合溶液，通過高溫（80-120℃）反應生成自由基，快速分解晶圓表面的有機物（如光刻膠殘留）、金屬雜質（如銅、鋁腐蝕產物）及原生氧化層。
可調配比：H?O?濃度可精確控制（如2:1至5:1），適配不同污染類型與工藝需求。
高精度工藝控制
溫度均勻性：±0.5℃的精準控溫，避免局部過熱導致晶圓損傷；
流體動力學設計：噴淋或浸泡模式可選，配合超聲波輔助，確保清洗無死角；
去離子水（DI Water）沖洗：多級純水噴淋，徹底清除化學殘留，防止二次污染。
高效自動化集成
單片式處理：獨立清洗槽設計，避免晶圓間交叉污染，良率提升顯著；
全自動流程：機械臂自動上料→清洗→干燥→下料，兼容MES系統(tǒng)數(shù)據(jù)追溯；
快速切換程序：支持不同工藝參數(shù)預設（如清洗時間、溶液濃度），靈活應對多品類晶圓需求。
環(huán)保與安全性
廢液處理系統(tǒng)：封閉式酸液回收，化學中和+過濾再生，減少危廢排放；
安全防護：耐腐蝕腔體（PFA/PTFE材質）、防爆設計、實時監(jiān)測pH/ORP值，符合SEMI安全標準。
核心應用場景
- 光刻膠去除：高效剝離正/負光刻膠殘留，避免殘留物影響后續(xù)圖形化工藝；
- 金屬污染清洗：去除晶圓表面銅、鋁等金屬顆粒，提升柵極氧化層質量；
- 預處理與后清洗：用于沉積、蝕刻前后的表面活化或清潔，增強薄膜附著力；
- 先進封裝清潔：適用于扇出型封裝（Fan-Out）、3D TSV等結構的污染物清除。
行業(yè)價值
提升良品率：通過強氧化性去除頑固污染物，缺陷率降低至＜0.1%；
適配先進制程：支持5nm以下節(jié)點清洗需求，滿足高性能計算芯片、HBM存儲等場景；
降本增效：化學液回收率＞80%，能耗降低20%，適配大規(guī)模量產；
國產替代：突破海外技術壟斷，助力半導體產業(yè)鏈自主可控。
SPM清洗設備憑借強效清潔、精準控制、自動化集成三大核心優(yōu)勢，成為半導體前道工藝中不可或缺的設備。隨著制程迭代與國產技術突破，其在保障芯片性能、推動產業(yè)升級中的戰(zhàn)略價值愈發(fā)凸顯。
