采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、9.9mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -8 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 9.9 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 14 |
| Id peak (Max) (A) | -80 |
| Id max cont (A) | -5 |
| QG typ (nC) | 18.9 |
| QGD typ (nC) | 4.2 |
| QGS typ (nC) | 3.2 |
| VGSTH typ (V) | -0.7 |
| Package (mm) | WLP 1.5x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 5 |
| Logic level | Yes |
- 低電阻
- 小尺寸封裝 1.5mm x 1.5mm
- 無鉛
- 柵極靜電放電 (ESD) 保護
- 符合 RoHS 環(huán)保標準
- 無鹵素
- 柵 - 源電壓鉗位
應(yīng)用范圍
- 電池管理
- 電池保護
- 負載開關(guān)應(yīng)用
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這款 –8V、8.2mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和超薄特性結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限應(yīng)用。
