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TIMOSFETCSD87381P

--- 產(chǎn)品詳情 ---

采用 3mm x 2.5mm LGA 封裝的 15A、30V、N 溝道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET
VGS (V) 10
VDS (V) 30
Power loss (W) 1
Ploss current (A) 8
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) 15
Operating temperature range (C) -55 to 150
Features Power supply
Duty cycle (%) Low
  • 半橋電源塊
  • 10A 電流下的系統(tǒng)效率達 90%
  • 工作電流高達 15A
  • 高密度 - 3mm × 2.5mm 接合柵格陣列封裝 (LGA) 尺寸
  • 雙側(cè)冷卻能力
  • 超薄 - 最大厚度為 0.48mm
  • 針對 5V 柵極驅(qū)動進行了優(yōu)化
  • 低開關(guān)損耗
  • 低電感封裝
  • 符合 RoHS 環(huán)保標準
  • 無鹵素
  • 無鉛

應(yīng)用范圍

  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器
    • 高電流、低占空比應(yīng)用
  • 多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 負載點 (POL) 直流 - 直流轉(zhuǎn)換器

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此 CSD87381P NexFET 電源塊 II 是針對同步降壓應(yīng)用的高度優(yōu)化設(shè)計，能夠在 3mm × 2.5mm 的小外形尺寸封裝內(nèi)提供大電流和高效率。 針對 5V 柵極驅(qū)動應(yīng)用進行了優(yōu)化，這款產(chǎn)品可提供高效且靈活的解決方案，在與外部控制器/驅(qū)動器的任一 5V 柵極驅(qū)動器配套使用時，可提供一個高密度電源。

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