型號(hào) SI2324DS-T1-GE3
絲印 VB1102M
品牌 VBsemi
詳細(xì)參數(shù)說明
- 類型 N溝道MOSFET
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 2A
- 導(dǎo)通電阻 246mΩ @10V, 260mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs
- 門閾電壓 2Vth
- 封裝 SOT23
應(yīng)用簡(jiǎn)介
SI2324DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，適用于需要開關(guān)高電壓和大電流的電路。其最大耐壓為100V，最大電流為2A，具有低導(dǎo)通電阻，可支持高功率傳輸。
該器件具有快速開關(guān)速度和低開關(guān)損耗，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于
1. 電源管理模塊 可用于開關(guān)電源中的電流控制和功率開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊 可用于驅(qū)動(dòng)小型直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
3. 照明模塊 可用于LED驅(qū)動(dòng)和調(diào)光控制。
總之，SI2324DS-T1-GE3適用于需要高電壓和大電流的應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和照明控制等。
