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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BUK653R7-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### BUK653R7-30C-VB 產品簡介

BUK653R7-30C-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220封裝,適用于高電流和低電阻應用。這款MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),利用先進的溝槽(Trench)技術,提供極低的導通電阻和優(yōu)越的電流處理能力。在VGS為4.5V時的導通電阻為4mΩ,在VGS為10V時的導通電阻為3mΩ,最大漏極電流(ID)為120A。BUK653R7-30C-VB在需要高電流和低功耗的應用中表現(xiàn)出色,適用于各種高效電源管理和電機驅動應用。

### BUK653R7-30C-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)             | 值                | 單位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封裝類型         | TO220             |      |
| 配置             | 單N溝道           |      |
| 漏源電壓 (VDS)   | 30                | V    |
| 柵源電壓 (VGS)   | ±20               | V    |
| 閾值電壓 (Vth)   | 1.7               | V    |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 4 (VGS=4.5V)     | mΩ   |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 3 (VGS=10V)      | mΩ   |
| 最大漏極電流 (ID) | 120               | A    |
| 技術             | 溝槽(Trench)    |      |

### BUK653R7-30C-VB 適用領域和模塊

1. **高效電源開關(High-Efficiency Power Switching)**:
  BUK653R7-30C-VB在高效電源開關應用中表現(xiàn)出色,特別是在需要低導通電阻和高電流處理的場合。其高達120A的漏極電流能力和極低的導通電阻有助于提高電源系統(tǒng)的效率,降低功率損耗。

2. **電機驅動(Motor Drives)**:
  在電機驅動應用中,該MOSFET能夠處理高電流負載,適用于直流電機和無刷電機(BLDC)的驅動。其高電流能力和低導通電阻確保了電機的平穩(wěn)運行和高效控制。

3. **DC-DC轉換器(DC-DC Converters)**:
  BUK653R7-30C-VB可用于DC-DC轉換器中,尤其是在需要高電流和高效轉換的應用中。其低導通電阻提高了轉換器的效率,減少了功率損耗,并增強了系統(tǒng)的整體性能。

4. **電池管理系統(tǒng)(Battery Management Systems)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET能夠有效控制高電流負載,適用于保護電路和負載開關。其高電流處理能力和低導通電阻有助于提高電池的使用壽命和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

5. **太陽能逆變器(Solar Inverters)**:
  BUK653R7-30C-VB在太陽能逆變器中可以用于高電流開關和控制電路。其高電流能力和低導通電阻使其能夠處理太陽能逆變器中的高功率要求,提高能量轉換效率。

BUK653R7-30C-VB以其高電流處理能力和極低的導通電阻,適用于需要高效和穩(wěn)定性能的各種電子應用,為電源管理、電機驅動和高效開關應用提供了可靠的解決方案。

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