--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 40V
- 最大電流 11A
- 導(dǎo)通電阻 13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.7Vth
- 封裝 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 SI4401DDYT1GE3絲印 VBA2412品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 11A 導(dǎo)通電阻 13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.7Vth 封裝 SOP8應(yīng)用簡介 SI4401DDYT1GE3 是一款 P溝道MOSFET,適用于負極電壓控制和負載開關(guān)的中功率應(yīng)用。其最大耐壓為40V,最大電流為11A,具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計,主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負責電源開關(guān)和負載開關(guān)控制的電源管理模塊。2. 電動工具 可用于電動工具中的負載開關(guān)和電源控制。3. 汽車電子模塊 適用于汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和電源控制??傊?,SI4401DDYT1GE3 適用于負極電壓控制和負載開關(guān)的中功率應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計,主要用于電源管理、電動工具和汽車電子模塊等。
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