型號(hào)： MTD20N03HDLT4G-VB
絲印： VBE1310
品牌： VBsemi
參數(shù)說明：
- N溝道
- 額定電壓：30V
- 額定電流：70A
- 開通電阻：7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓：±20Vgs
- 閾值電壓：1.8Vth(V)
- 封裝：TO252
應(yīng)用簡介：
MTD20N03HDLT4G-VB是一款高性能的N溝道功率MOSFET。它適用于在需要高功率開關(guān)和控制的各種領(lǐng)域模塊中使用。由于其額定電壓高達(dá)30V和額定電流達(dá)到70A，它在各種高功率應(yīng)用中都能表現(xiàn)出色。
應(yīng)用領(lǐng)域：
此種型號(hào)的MOSFET常用于以下領(lǐng)域模塊：
- 電源管理模塊：由于其高電流和低開通電阻，適合用于電源管理模塊中的開關(guān)和調(diào)節(jié)電路。
- 電動(dòng)工具：適用于電動(dòng)工具中的功率開關(guān)和電流控制電路，例如電鉆、砂輪機(jī)等。
- 電動(dòng)車輛：在電動(dòng)車輛的電池管理系統(tǒng)中，可用于電流控制和保護(hù)電路。
- LED照明：用于LED燈具中的開關(guān)和調(diào)光電路，以便實(shí)現(xiàn)高亮度和節(jié)能。
- 調(diào)速器和驅(qū)動(dòng)器：可用于調(diào)速器和驅(qū)動(dòng)器模塊中的高功率開關(guān)電路。
總結(jié)：
MTD20N03HDLT4G-VB是一款適用于各種高功率應(yīng)用的N溝道功率MOSFET。它的特點(diǎn)包括高額定電流和低開通電阻，能夠在多個(gè)領(lǐng)域模塊中發(fā)揮出色的性能，例如電源管理、電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛、LED照明、調(diào)速器和驅(qū)動(dòng)器等。
