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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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WNM2021-VB一款N溝道SC70-3封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): WNM2021-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SC70-3封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**WNM2021-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:**

**參數(shù)說(shuō)明:**
- 封裝:SC70-3
- 溝道類型:N-Channel
- 額定電壓(VDS):20V
- 額定電流(ID):4A
- RDS(ON):45mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
- 門源電壓閾值(Vth):1~3V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
WNM2021-VB是一款SC70-3封裝的N-Channel MOSFET,具有低電壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于各種便攜式電子設(shè)備和低功耗應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域模塊:**
1. **電源管理模塊:** WNM2021-VB可用于便攜式設(shè)備中的電源管理模塊,實(shí)現(xiàn)高效的電源開(kāi)關(guān)控制,降低功耗。

2. **電池保護(hù)模塊:** 在移動(dòng)設(shè)備中,WNM2021-VB可用于電池保護(hù)電路,確保電池充電和放電過(guò)程中的安全和穩(wěn)定。

3. **信號(hào)開(kāi)關(guān)模塊:** 由于其低阻態(tài)時(shí)的導(dǎo)通電阻,可用于實(shí)現(xiàn)在低電壓條件下的信號(hào)開(kāi)關(guān),提高信號(hào)傳輸?shù)男省?/p>

**作用:**
- 提供可靠的電源開(kāi)關(guān)控制,降低功耗。
- 用于電池管理,確保電池安全和穩(wěn)定工作。
- 在信號(hào)開(kāi)關(guān)中,提供低阻態(tài)時(shí)的導(dǎo)通,增加信號(hào)傳輸效率。

**使用注意事項(xiàng):**
1. **電壓限制:** 確保在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)操作,不要超過(guò)最大額定電壓(20V)。
2. **電流限制:** 不要超過(guò)最大允許電流(4A),以避免過(guò)熱和損壞。
3. **靜電防護(hù):** 在操作過(guò)程中采取靜電防護(hù)措施,以免損壞敏感的MOSFET器件。
4. **門源電壓:** 注意門源電壓(Vth)的適用范圍,確保在規(guī)定范圍內(nèi)正常工作。

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