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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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STB80NF10T4-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: STB80NF10T4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO263封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**STB80NF10T4-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:**

- **參數(shù):**
 - 絲?。篤BL1101N
 - 品牌:VBsemi
 - 封裝:TO263
 - 類型:N—Channel溝道
 - 額定電壓:100V
 - 額定電流:100A
 - RDS(ON):10mΩ @ VGS=10V, 20V
 - 閾值電壓:3V

- **應(yīng)用簡介:**
 - STB80NF10T4-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于高功率開關(guān)和電源控制。

- **應(yīng)用領(lǐng)域:**
 - 高功率開關(guān)模塊
 - 電源控制模塊

- **作用:**
 - 在高功率開關(guān)模塊中,用于控制電路的導(dǎo)通和切斷,適用于高功率設(shè)備。
 - 在電源控制模塊中,用于實(shí)現(xiàn)電源的高效開關(guān)和調(diào)節(jié),適用于大功率電子設(shè)備。

- **使用注意事項(xiàng):**
 - 絲印VBL1101N對應(yīng)STB80NF10T4-VB,確保正確識別。
 - 在規(guī)定的電壓和電流范圍內(nèi)使用,以防損壞設(shè)備。
 - 遵循制造商提供的電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用建議。

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