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對NTD氫區(qū)熔單晶硅進(jìn)行了不同溫度下等時(shí)退火，采用Hall 電學(xué)方法測量了電阻率、遷移率隨退火溫度的變化規(guī)律。利用紅外吸收技術(shù)測量了單晶硅氫區(qū)熔退火前后及NTD氫區(qū)熔單晶硅不同退火溫度下與氫、輻照缺陷有關(guān)的紅外振動吸收峰變化，對輻照缺陷的退火行為進(jìn)行了探討。實(shí)驗(yàn)證實(shí)NTD氫區(qū)熔單晶硅在150~650C 范圍內(nèi)等時(shí)退火具有顯著特點(diǎn)：在500‘C 下退火，出現(xiàn)電阻率極小值，即出現(xiàn)濃度很高的過量淺施主;P 型向N 型轉(zhuǎn)變溫度為400C，遷移率恢復(fù)溫度為500C，載流子恢復(fù)溫度為600C，均明顯低于NTD氬區(qū)熔單晶硅轉(zhuǎn)型溫度及遷移率和載流子恢復(fù)溫度，這與氫積極參與輻照缺陷相互作用直接相關(guān)。
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