資料介紹
隨著時(shí)間的推移,功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越來越高。在電壓高于 1 kV 的大功率晶體管方面,雙極結(jié)構(gòu)已成為首選;低于 1 kV 電壓,特別是頻率高于 100 kHz 時(shí),更多采用的是 MOSFET。高于此電壓的大電流應(yīng)用則選擇 IGBT。
開發(fā)這類器件的主要挑戰(zhàn)在于,在開關(guān)頻率持續(xù)上升時(shí),需要通過減小由導(dǎo)通阻抗導(dǎo)致的導(dǎo)電損耗、降低內(nèi)部電容,以及改善反向恢復(fù)性能,將內(nèi)部損耗降到最低。由于擊穿電壓更高及未鉗位開關(guān)特性(UIS)的緣故,提升擊穿強(qiáng)固性也非常重要。
功率器件更加智能
智能電源 IC (Smart power IC)是一種在一塊芯片上將“智能”和“電源”集成起來的全新器件。它廣泛應(yīng)用于包括電源轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)控制、熒光燈整流器、自動(dòng)開關(guān)、視頻放大器、橋式驅(qū)動(dòng)電路以及顯示驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。
封裝技術(shù)潛力無限
當(dāng)前功率半導(dǎo)體封裝的主要趨勢(shì)是增強(qiáng)互連,包括旨在降低阻抗/寄生效應(yīng)的晶圓級(jí)技術(shù),以及增強(qiáng)型片上散熱。厚銅、金或鋁線邦定、緞帶(ribbon)/封裝黏著(clip bonding) ,以及功率優(yōu)化的芯片級(jí)封裝(CSP),也在增強(qiáng)裸片與外部電極之間的電阻連接效率。圖 1 顯示了封裝技術(shù)的演進(jìn)。
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