近幾十年來，電子技術(shù)發(fā)展非常迅速，應(yīng)用也越來越廣泛，目前已成為現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的一個重要組成部分。那到底什么是電子技術(shù)？簡單地說，電子技術(shù)就是研究電子器件、電子電路及其應(yīng)用的科學(xué)技術(shù)，學(xué)習(xí)模電會為了我們以后深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)領(lǐng)域中的內(nèi)容，以及電子技術(shù)在專業(yè)中的應(yīng)用打好基礎(chǔ)。

好了，讓我們以pN結(jié)的形成為起點，進而了解半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用。

1、本征半導(dǎo)體：純凈 晶體結(jié)構(gòu) 共價鍵 自由電子 空穴（成對出現(xiàn)）即載流子（2種）【空穴電流 電子電流】

特點：電阻率大 導(dǎo)電性能隨溫度變化比較大

2、摻雜半導(dǎo)體

a:N型半導(dǎo)體：摻入五價元素雜質(zhì)（施主雜質(zhì)），自由電子為多子（多數(shù)載流子稱為多子）。

空穴為少子

多子的濃度與摻入雜質(zhì)的濃度有關(guān)而不是與溫度有關(guān)，少子的濃度與溫度有關(guān)

b:P型半導(dǎo)體：摻入三價元素（硼）受主雜質(zhì)，空穴為多子，自由電子為少子

若摻入五價元素雜質(zhì)濃度多于三價雜質(zhì)濃度，可由P型轉(zhuǎn)向N型

3、PN結(jié)的形成

兩邊多子濃度不同——多子擴散——形成內(nèi)電場——阻礙多子運動——加強少子的飄移——飄移和擴散達成動態(tài)平衡——形成PN結(jié)

注：由于交界面兩側(cè)的N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體存在多子濃度的極大差異，P型半導(dǎo)體一側(cè)的多子為空穴，其濃度遠大于N型半導(dǎo)體一側(cè)；N型半導(dǎo)體一側(cè)的多子為電子，其濃度又遠大于P型半導(dǎo)體一側(cè)。這種濃度差使多子相互擴散通過交界面到達對方，并與對方的多子復(fù)合，使P區(qū)靠近交界面處形成一個缺少空穴，只有負離子的薄膜層；N區(qū)靠近交界面處形成一個缺少電子，只有正離子的薄層。

4、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

a:PN結(jié)的正向偏置 P——電源正極 N——電源負極，外電場使內(nèi)電場減弱，動態(tài)平衡打破，多子擴散運動加強，少子飄移運動減弱，形成正向電流——PN導(dǎo)通

b:PN結(jié)的反向偏置 P——電源負極 N——電源正極 ，則PN截止

5、pN結(jié)上電流與電壓關(guān)系

存在如IF=Isexp（-eVF/kT）下關(guān)系，式中，-e為電子電量；k為玻爾茲曼常數(shù)；T為絕對溫度；Is為反向飽和電流，。正向電壓U>0,i=Isexp(U/ut); 反向電壓U<0,i=IS(I 與U無關(guān)）。