提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個目標，需要提高開關頻率，從而降低功率損耗、系統(tǒng)整體尺寸以及重量。對于當今的開關電源（SMPS）而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關（ZVS） 或零電流開關（ZCS） 拓撲允許采用高頻開關技術，可以最大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開關下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降低功率開關的應力，因此可以改善系統(tǒng)的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務器、平板顯示器電源的應用。但是，包含有LLC諧振半橋的ZVS橋式拓撲，需要一個帶有反向快速恢復體二極管的MOSFET，才能獲得更高的可靠性。本應用筆記討論了LLC諧振變換器中潛在失效模式和機理，并為防止失效，提供一種簡單、高性價比的解決方案。

　　在功率變換市場中，尤其對于通信/服務器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關（ZVS）拓撲因具有極低的開關損耗、較低的器件應力而允許采用高開關頻率以及較小的外形，從而越來越受到青睞 。這些諧振變換器以正弦方式對能量進行處理，開關器件可實現(xiàn)軟開閉，因此可以大大地降低開關損耗和噪聲。在這些拓撲中，相移ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關工作在ZVS 狀態(tài)下，無需額外附加輔助開關。然而，ZVS范圍非常窄，續(xù)流電流消耗很高的循環(huán)能量。近來，出現(xiàn)了關于相移全橋拓撲中功率MOSFET失效問題的討論。這種失效的主要原因是：在低反向電壓下，MSOFET體二極管的反向恢復較慢。另一失效原因是：空載或輕載情況下，出現(xiàn)Cdv/dt直通。在LLC諧振變換器中的一個潛在失效模式與由于體二極管反向恢復特性較差引起的直通電流相關。即使功率MOSFET的電壓和電流處于安全工作區(qū)域，反向恢復dv/dt和擊穿dv/dt也會在如啟動、過載和輸出短路的情況下發(fā)生。
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