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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>顯示及光電>刻蝕端面Al Ga In As/AlInAs激光器的制作與特

      刻蝕端面Al Ga In As/AlInAs激光器的制作與特

      2010-11-30 | rar | 956 | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      摘要　利用Cl2/BCl3/CH4電感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)AlGaInAs,InP材料的非選擇性刻蝕。AlGaInAs與InP的刻蝕速率分別為820nm/min與770nm/min,獲得了刻蝕深度為4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蝕端面。在此基礎(chǔ)上制作出寬接觸的刻蝕端面AlGaInAs/AlInAs激光器,實(shí)現(xiàn)了室溫脈沖激射,其閾值電流和微分量子效率與傳統(tǒng)的解理端面激光器基本相當(dāng)。并通過(guò)刻蝕端面與解理端面激光器特性的比較(包括電流2電壓、電流2輸出光功率以及遠(yuǎn)場(chǎng)特性),分析了刻蝕端面的引入對(duì)激光器特性的影響。
      關(guān)鍵詞　激光技術(shù);刻蝕端面激光器;AlGaInAs;Cl/BCl/CH;感應(yīng)耦合等離子體
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