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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>單片機>改善基于微控制器的應(yīng)用的瞬態(tài)免疫性能

改善基于微控制器的應(yīng)用的瞬態(tài)免疫性能

2009-04-17 | rar | 444 | 次下載 | 2積分

資料介紹

家電制造業(yè)的競爭日益激烈,市場調(diào)整壓力越來越大,原始設(shè)備制造商們(OEM)為了面對這一挑戰(zhàn),必須在滿足電磁兼容性的條件下,不斷降低產(chǎn)品的成本。由于強調(diào)成本控制,為防止由電源信號線的瞬變所產(chǎn)生的電器故障而實施必要的瞬態(tài)免疫保護,對于家電設(shè)計者來說變得更具挑戰(zhàn)性。由于傳統(tǒng)的電源設(shè)計和電磁干擾(EMI)控制措施為節(jié)約成本讓路,家電設(shè)計者必須開發(fā)出新的技術(shù)來滿足不斷調(diào)整的電磁兼容(EMC)需求。本應(yīng)用筆記探討了瞬態(tài)電氣干擾對嵌入式微控制器
MCU)的影響,并提供了切實可行的硬件和軟件設(shè)計技術(shù),這些技術(shù)可以為電快速瞬變(EFT)、靜電放電(ESD)以及其它電源線或信號線的短時瞬變提供低成本的保護措施。雖然這種探討是主要針對家電制造商,但是也適用于消費電子、工業(yè)以及汽車電子方面的應(yīng)用。

低成本的基于MCU 的嵌入式應(yīng)用特別容易受到ESD 和EFT 影響降低性能。即使是運行在較低時鐘頻率下的微控制器,通常對快速上升時間瞬變也很敏感。這種敏感性歸咎于所使用的工藝技術(shù)。如今針對低成本8/16位的MCU的半導(dǎo)體工藝技術(shù)所實現(xiàn)的晶體管柵極長度在0.65 μm~0.25 μm范圍內(nèi)。此范圍內(nèi)的柵極長度能產(chǎn)生和響應(yīng)上升時間在次納秒范圍內(nèi)(或超過300 MHz 的等同帶寬)的信號。因此, MCU 能夠響應(yīng)進入其引腳的ESD 或EFT 信號。除上述工藝技術(shù)之外, MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能還會受到IC 設(shè)計及其封裝、印刷電路板(PCB)的設(shè)計、MCU 上運行的軟件、系統(tǒng)設(shè)計以及ESD 或EFT 波形特征的影響。各因素的相對影響(強調(diào)對最大影響的貢獻)如圖1 所示。

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