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綜述了納電子學和神經(jīng)形態(tài)芯片進入新世紀后所處發(fā)展階段以及近兩年的最新進展。在納電子領(lǐng)域，綜述并分析了當今集成電路的發(fā)展現(xiàn)狀，包括鰭式場效應(yīng)晶體管（ FinFET）的發(fā)展、10 nm節(jié)點的技術(shù)突破、7 nm和5 nm節(jié)點的前瞻性技術(shù)研究以及三類后互補金屬氧化物半導體（ CMOS）器件（自旋電子器件、隧穿FET和碳納米管柵的二維半導體MoS，晶體管）的探索性研究，指出摩爾定律將沿著加強柵對溝道電子的控制（三柵和環(huán)柵）、更換高遷移率材料和采用新機理等技術(shù)路線繼續(xù)前行。在神經(jīng)形態(tài)芯片領(lǐng)域，綜述并分析了神經(jīng)形態(tài)芯片的發(fā)展歷程、“真北”類腦芯片的技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用、當今嵌入式神經(jīng)處理器的四個發(fā)展特點和采用新器件提高能量效率的探索。采用納電子技術(shù)的神經(jīng)形態(tài)芯片的發(fā)展將成為未來智能時代發(fā)展的基礎(chǔ)。
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