OB2263是一款高度集成的電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制芯片，針對(duì)高性能、低待機(jī)功耗以及高效離線反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，適用于輸出功率在30W以內(nèi)的場(chǎng)景。 在標(biāo)稱工作狀態(tài)下，PWM開(kāi)關(guān)頻率可通過(guò)外部編程進(jìn)行調(diào)整，以實(shí)現(xiàn)最佳的輕載或空載性能。在空載或輕載條件下，該芯片工作在擴(kuò)展的“突發(fā)模式”，以降低開(kāi)關(guān)損耗。較低的待機(jī)功耗可實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率，從而實(shí)現(xiàn)這種狀態(tài)。 較低的啟動(dòng)電流和工作電流，為OB2263帶來(lái)可靠的啟動(dòng)設(shè)計(jì)。在啟動(dòng)階段，可使用一個(gè)大阻值電阻來(lái)降低待機(jī)功耗。 內(nèi)部斜率補(bǔ)償功能可提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性，減少在高PWM占空比輸出時(shí)可能出現(xiàn)的次諧波振蕩。前沿消隱功能可消除由檢測(cè)（CS）引腳信號(hào)尖峰引起的數(shù)字干擾，避免反向恢復(fù)問(wèn)題，從而大幅降低外部元件成本和系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)成本。 OB2263具備完整的保護(hù)功能，且能自動(dòng)恢復(fù)，包括逐周期電流限制（OCP）、過(guò)載保護(hù)（OLP）、過(guò)壓鉗位和欠壓鎖定（UVLO）。柵極驅(qū)動(dòng)輸出被鉗位至最大18V，以保護(hù)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。 通過(guò)非對(duì)稱頻率抖動(dòng)技術(shù)結(jié)合圖騰柱的軟開(kāi)關(guān)控制，OB2263實(shí)現(xiàn)了出色的電磁干擾（EMI）性能。