雙極型集成電路的制造工藝，是在平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。與制造單個(gè)雙極型晶體管的平面工藝相比，具有若干工藝上的特點(diǎn)。

　　1.雙極型集成電路中各元件之間需要進(jìn)行電隔離。集成電路的制造，先是把硅片劃分成一定數(shù)目的相互隔離的隔離區(qū)；然后在各隔離區(qū)內(nèi)制作晶體管和電阻等元件。在常規(guī)工藝中大多采用PN結(jié)隔離，即用反向PN結(jié)達(dá)到元件之間相互絕緣的目的。除PN結(jié)隔離以外，有時(shí)也采用介質(zhì)隔離或兩者混合隔離法（見隔離技術(shù)）。

　　2.雙極型集成電路中需要增添隱埋層。通常，雙極型集成電路中晶體管的集電極，必須從底層向上引出連接點(diǎn)，因而增加了集電極串連電阻，這不利于電路性能。為了減小集電極串連電阻，制作晶體管時(shí)在集電極下邊先擴(kuò)散一層隱埋層，為集電極提供電流低阻通道和減小集電極的串聯(lián)電阻。隱埋層，簡(jiǎn)稱埋層，是隱埋在硅片體內(nèi)的高摻雜低電阻區(qū)。埋層在制作集成電路之前預(yù)先“埋置”在晶片體內(nèi)。其工藝過(guò)程是：在 P型硅片上，在預(yù)計(jì)制作集電極的正下方某一區(qū)域里先擴(kuò)散一層高濃度施主雜質(zhì)即N+區(qū)；而后在其上再外延生長(zhǎng)一層N型硅單晶層。于是，N型外延層將N+區(qū)隱埋在下面，再在這一外延層上制作晶體管。

　　3.雙極型集成電路通常采用擴(kuò)散電阻。電路中按電阻阻值大小選擇制備電阻的工藝，大多數(shù)是利用晶體管基區(qū)P型擴(kuò)散的同時(shí)，制作每方約 150～200歐·厘米的P型擴(kuò)散電阻。但是，擴(kuò)散電阻存在阻值誤差大、溫度系數(shù)高和有寄生效應(yīng)等缺點(diǎn)。除采用擴(kuò)散電阻外，有時(shí)也采用硅單晶體電阻。