資料介紹
從程控直流電子負(fù)載的整體設(shè)計(jì)方案人手,采用STM32F103VCT6作為中央控制器,運(yùn)用多通道AD技術(shù)對(duì) 多路并聯(lián)的MOSFET上的電壓及各支路電流進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),控制工作在線性狀態(tài)的MOSFET上的電流,以實(shí)現(xiàn)電 子負(fù)載的恒流、恒壓、恒功率和恒電阻4個(gè)功能。詳細(xì)研究了MOSFET寄生電容引起的自激振蕩及消除方法以及 PI調(diào)節(jié)器、濾波器的設(shè)計(jì),提出了一種提高多路MOSFET并聯(lián)的電子負(fù)載的穩(wěn)定性的方法。針對(duì)所提出的電子負(fù) 載設(shè)計(jì)方案制作了實(shí)驗(yàn)樣機(jī),并對(duì)其進(jìn)行了測(cè)試、分析和再優(yōu)化。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,所設(shè)計(jì)的電子負(fù)載具有 較高的穩(wěn)定性,有效抑制自激振蕩,最大耐流30A,耐壓90V,最大功率150W。
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