MOSFET 又叫場效應(yīng)晶體管，那么如何去學(xué)好 MOS 管呢？大家都對 三極管有了解了，已經(jīng)弄明白了。實際上，要想學(xué)好 MOS 管，首先我 們要對標(biāo)三極管來學(xué)。我們說，三極管有 N 管和 P 管，同樣的，MOS 管也有 N 型和 P 型。這里我們只講 N 型 MOSFET。

N 型 MOSFET 也有三個極：柵極 源極 漏極，字母表示：G D S， 對標(biāo)三極管的 b c e（如上圖所示）。三極管具有功率放大的作用， 放大的是電流，實際上是等效內(nèi)阻變小。MOS 管也具有功率放大的作 用。那么，不管三極管還是 MOS 管，它都有控制極和輸出極。

控制極的電流很小，控制信號的內(nèi)阻大

輸出極的電流很大，輸出信號的內(nèi)阻小

我們先舉例三極管，對于三極管來說，用一個很小的 ib 電流，來 控制很大的 ic 電流。Ib 和 Ic 有β的關(guān)系，假設(shè)β是 100，那么 Ic 比 Ib 大 100 倍，等效 CE 內(nèi)阻比 BE 內(nèi)阻小了 100 倍。

三極管放大的前提條件，Ib Ic 需要有電流。什么條件下有電流 呢？Ib Ic 各自必須要有完整的回路，既然有回路，就有電流，這個 三極管的特質(zhì)。那么，既然有回路有電流，必然會產(chǎn)生功耗。

所以，電路設(shè)計中，三極管用的越多，則功耗就越大。這就是早 期的主控芯片功耗大的原因。

三極管是一個流控流型的器件，因為有這個問題的存在，我們得 改進(jìn)啊是吧，不用電流來控制呢？這樣子，場效應(yīng)管就應(yīng)運而生了。 MOSFET 的誕生，需要解決三極管的瓶頸問題。

由于三極管這里的β只有 100 倍，如果 Ic 要求是 100A，Ib 至少 要是 1A 是吧，也就是說，你的控制極就要是 1A，如果我有 10 個， 那就要是 20A，那這要多大的電源才能提供啊，這是一個問題，對不 對啊?？刂齐娏魈螅箅娫刺峁└蟮哪芰?。

我們再來看下面一個問題：

Ib 是 1A，那么 BE 壓降是多少呢，也就是 Vbe = 0.7V。如果說 0.7V*Ib=0.7V*1A=0.7W，功耗 Pb 就是 0.7W 了。Ic=100A，Vce=0.3V， Pc=30W。這些都會在三極管里消耗，也就是說三極管本身就要差不多 消耗 30W，很明顯，我們?yōu)榱丝刂?100A，這個管子就要消耗 30W。如 果 10 個管子，就要 300W。那這個電路就無法設(shè)計了啊。而且 30W 的 管子，發(fā)熱是無法承受的，所以說就無法使用。

所以說，我們就得出結(jié)論：晶體管它的功率和電流不能太大，有 上限限制，基本上都是 mA 級別，也有 A 級別，但是那個就用的很少 了。我們就把希望寄托于場效應(yīng)管上面，它是一個新事物的誕生，它 一定要解決功耗的問題，也就是解決電流的問題，任何一個器件都是 有內(nèi)阻的。要想沒有功耗，就不能有電流，不能有電流應(yīng)該怎么辦？

在電子世界中，除了電流是電壓，既然流控型不行，那么能不能 做一個壓控型的呢？這個管子的導(dǎo)通不導(dǎo)通只關(guān)注電壓的閾值，那么 這個時候就讓電流很小，就能解決這個問題。

對于 MOSFET 來說，GS 內(nèi)部有一個電容存在的。充滿電后，維持 住這個電壓，那么就持續(xù)導(dǎo)通了。

在充電過程中，是消耗電流和產(chǎn)生功耗的；當(dāng)充電完成后，電容 上是沒有電流的，沒有電流，則沒有損耗。那么，這個時候功耗很低 了。

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