MOSFET簡介

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱 MOSFET。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為N-MOSFET與P-MOSFET, MOSFET 廣泛用于電路電子開關(guān)。

MOSFET選型技巧

1.選用N溝道還是P溝道，在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮;

2.額定電壓越大，器件的成本就越高，Vos必須覆蓋電路額定工作電壓范圍并且注意溫度曲線;

3.確定額定電流，額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流;

4.選好額定電流后，還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時(shí)就像--個(gè)可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件功率耗損可由lload2xRDS(ON)計(jì)算也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOSFET施加的電壓VGS越高，Rps(ON)就 會(huì)越小;反之Rps(ON)就會(huì)要折中權(quán)衡的地方。對(duì)便攜式設(shè)計(jì)來說，采用較設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓。注意RDs(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升;

5.決定開關(guān)性能，是柵極/漏極、柵極/源極及漏極源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_關(guān)時(shí)都要低，器件效率也下降。為計(jì)算開關(guān)過程中器件的總損耗，設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。