見過很多初學(xué)者對PIC16系列單片機(jī)的ID碼的讀和寫犯迷糊。說實(shí)話，這方面的資料也不怎么全。有些教材可能會涉及ID區(qū)域的介紹，可是往往是一代而過。這對初學(xué)者來說是比較容易犯錯(cuò)的地方。今天有空，對相關(guān)的問題作了一些整理，分享給大家。可能有些地方說的不夠妥當(dāng)，歡迎大家多多探討。 1.什么是ID區(qū)域? ID區(qū)域是獨(dú)立于EEPROM，F(xiàn)LASH，RAM的區(qū)域。程序設(shè)計(jì)人員可以利用該區(qū)域存放軟件的版本號，編寫日期，燒錄日期，產(chǎn)品標(biāo)識等信息。不過該區(qū)域很小PIC16系列只能存放4個(gè)字節(jié)。 2.ID碼怎么燒錄到ID區(qū)域里面去? 可以利用PICC自帶的宏命令I(lǐng)DLOC(X)來實(shí)現(xiàn)。具體操作如下： .....................................//頭文件 其它宏定義 __IDLOC(76F4); //注意：前面是兩個(gè)下劃線。括號里面最多可以有2個(gè)字節(jié) void main() { ...................................//程序主體 } 編譯以后再用燒錄工具燒到單片機(jī)中即可。這里要提醒一下，IDLOC(X)里面最多有2個(gè)字節(jié)的16進(jìn)制數(shù)，超過部分會無效。比如你寫個(gè)987FE3，E3會丟掉。另外得說一下這兩個(gè)16進(jìn)制數(shù)在ID區(qū)域是怎么放的。我們已經(jīng)知道IDLOC(X)里面能又個(gè)字節(jié)，而ID區(qū)域能放4個(gè)字節(jié)。以X=76F4為例，它們是這樣放的07060F04。也就是說，在每個(gè)16進(jìn)制數(shù)前加1個(gè)0。如果你寫的不是2個(gè)字節(jié)的16進(jìn)制數(shù)，比如是1個(gè)字節(jié)的78。編譯器會在前面補(bǔ)0，那就成了0078。寫到ID區(qū)域的就是00000708 3.ID碼怎么讀出來? 可以通過燒錄工具跟編譯器配合讀出來。我用的是PICC跟ICD2。連好線，單片機(jī)上電以后，在編程模式下，通過執(zhí)行Read Target Device操作，然后在Configure菜單下的Id memory 選項(xiàng)可以看到剛才編程的時(shí)候設(shè)置的ID碼。 其實(shí)，多數(shù)PIC都沒有唯一ID，有人通過燒斷PIC讀出總線來實(shí)現(xiàn)，但設(shè)備需要自制。 只要是市場上大量銷售的芯片，解密都不是什么麻煩事，只能盡量用新型號或者生僻的型號。 有人用MCU內(nèi)部的EEPROM這么搞過，但不是這么簡單的這么搞，對于大批量生產(chǎn)來說，還需要一些技巧才能比較好的處理這個(gè)問題。 1、設(shè)置一個(gè)自檢程序，通過特殊操作(我有一個(gè)自制工裝，可以把MCU的各個(gè)相關(guān)IO強(qiáng)行固定在某個(gè)邏輯電平上，軟件判斷邏輯組合，必須符合一個(gè)特定組合才能進(jìn)入特殊操作啟動代碼，UART接受工裝的通信數(shù)據(jù)，通信數(shù)據(jù)傳入EEPROM要被擦寫的次數(shù)和位置等)。 2、進(jìn)入自檢后，MCU瘋狂的擦寫EEPROM中設(shè)定的某個(gè)位置(適當(dāng)提高一點(diǎn)VCC電壓以加快失效)，最多擦寫200萬次后停止操作，一般MCU自帶的EEPROM擦寫次數(shù)都不到100萬次，EEPROM某個(gè)字節(jié)在0XAA和0X55之間不斷的被循環(huán)擦寫。 3、這個(gè)擦寫的時(shí)間還是比較長的，一般要數(shù)十分鐘以上，我一般放在產(chǎn)品通電老化階段進(jìn)行這個(gè)自檢程序(產(chǎn)品一般要在老化房4~6個(gè)小時(shí)候通電老化時(shí)間，自檢程序兼容這個(gè)時(shí)間執(zhí)行，避免產(chǎn)生新的工時(shí)損失) 4、擦寫過程中在RAM中記錄EEPROM該字節(jié)失效時(shí)的操作次數(shù)，并存入到EEPROM其他字節(jié)中。 5、產(chǎn)品正常銷售中，執(zhí)行APP用戶程序，繼續(xù)不斷的擦寫那個(gè)失效字節(jié)，如果不能擦寫，則說明加密成功，否則有另一個(gè)糾錯(cuò)程序就不講了，各位可以自行想辦法。? (mbbeetchina)