隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。 近年來(lái)SRAM在改善系統(tǒng)性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。 今天小編就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM， 在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM，RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。 但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米那么簡(jiǎn)單，更像是圖書館中用書架擺放書籍一樣，不但要放進(jìn)去還要能夠在需要的時(shí)候準(zhǔn)確的調(diào)用出來(lái)，雖然都是書但是每本書是不同的。 對(duì)于RAM等存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)也是一樣的，雖然存儲(chǔ)的都是代表0和1的代碼，但是不同的組合就是不同的數(shù)據(jù)。 讓我們重新回到書和書架上來(lái)，如果有一個(gè)書架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的編號(hào)），有100本書要存放在里面，那么我們使用一個(gè)行的編號(hào)＋一個(gè)列的編號(hào)就能確定某一本書的位置。 在RAM存儲(chǔ)器中也是利用了相似的原理。 現(xiàn)在讓我們回到RAM存儲(chǔ)器上，對(duì)于RAM存儲(chǔ)器而言數(shù)據(jù)總線是用來(lái)傳入數(shù)據(jù)或者傳出數(shù)據(jù)的。 因?yàn)榇鎯?chǔ)器中的存儲(chǔ)空間是如果前面提到的存放圖書的書架一樣通過(guò)一定的規(guī)則定義的，所以我們可以通過(guò)這個(gè)規(guī)則來(lái)把數(shù)據(jù)存放到存儲(chǔ)器上相應(yīng)的位置，而進(jìn)行這種定位的工作就要依靠地址總線來(lái)實(shí)現(xiàn)了。 對(duì)于CPU來(lái)說(shuō)，RAM就像是一條長(zhǎng)長(zhǎng)的有很多空格的細(xì)線，每個(gè)空格都有一個(gè)唯一的地址與之相對(duì)應(yīng)。 如果CPU想要從RAM中調(diào)用數(shù)據(jù)，它首先需要給地址總線發(fā)送編號(hào)，請(qǐng)求搜索圖書（數(shù)據(jù)），然后等待若干個(gè)時(shí)鐘周期之后，數(shù)據(jù)總線就會(huì)把數(shù)據(jù)傳輸給CPU，看圖更直觀一些： 小圓點(diǎn)代表RAM中的存儲(chǔ)空間，每一個(gè)都有一個(gè)唯一的地址線同它相連。 當(dāng)?shù)刂方獯a器接收到地址總線的指令：“我要這本書”（地址數(shù)據(jù)）之后，它會(huì)根據(jù)這個(gè)數(shù)據(jù)定位CPU想要調(diào)用的數(shù)據(jù)所在位置，然后數(shù)據(jù)總線就會(huì)把其中的數(shù)據(jù)傳送到CPU。 下面該介紹一下今天的主角SRAM： SRAM——“Static RAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）”的簡(jiǎn)稱，所謂“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。 這里與我們常見(jiàn)的DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器不同，具體來(lái)看看有哪些區(qū)別： SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小。 此外，SRAM主要用于二級(jí)高速緩存（Level2 Cache），它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。 但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。 還有，SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存。 最后總結(jié)一下： SRAM成本比較高 DRAM成本較低（1個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管加一個(gè)電容） SRAM存取速度比較快 DRAM存取速度較慢（電容充放電時(shí)間） SRAM一般用在高速緩存中 DRAM一般用在內(nèi)存條里 (mbbeetchina)