資料介紹
適用于大功率IGBT模塊串聯(lián)工作的新型驅(qū)動(dòng)電路IGD515EI
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,特別是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET (Metallic oxide semiconductor field effecttransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高頻自關(guān)斷器件應(yīng)用的日益廣泛,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。本文介紹了一種以CONCEPT公司的IGD515EI驅(qū)動(dòng)器為主要器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,適用于大功率、高耐壓IGBT模塊串、并聯(lián)電路的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。通過光纖傳輸驅(qū)動(dòng)及狀態(tài)識(shí)別信號(hào),進(jìn)行高壓隔離傳輸,具有良好的抗電磁干擾性能和高于15A的驅(qū)動(dòng)電流。因此,該電路適用于高壓大功率場(chǎng)合。在隔離的高電位端, IGD515EI內(nèi)部的DC-DC電源模塊只需一路驅(qū)動(dòng)電源就能夠產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)所需的±15V電源。器件內(nèi)還包括功率管的過流和短路保護(hù)電路,以及信號(hào)反饋檢測(cè)功能。該電路是一種性能優(yōu)異、成熟的驅(qū)動(dòng)電路。
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