資料介紹
電流傳輸器或 CCI (可以看作一個(gè)理想的晶體管)的概念最初是由 Smith 和 Sedra 于 19681,2提出的。之后,在 1970 年,CCI 被更加通用的第二代器件 CCII3所取代?,F(xiàn)在的傳輸器設(shè)計(jì)主要采用 BJT,它們與 CMOS 相比具有更高的跨導(dǎo),非常適合電流反饋運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì),例如 MAX4112 低功耗放大器,其特點(diǎn)是電流反饋,而不是標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器中使用的電壓反饋方式。因此,電流反饋運(yùn)算放大器不像標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器那樣受到增益帶寬積的限制,它可以提供比電壓反饋器件更寬的頻帶。電流傳輸器通常用于傳統(tǒng)運(yùn)算放大器無法支持的高頻產(chǎn)品,因?yàn)閭鹘y(tǒng)設(shè)計(jì)的增益帶寬積有限。理論上講,電流傳輸器只受設(shè)計(jì)中晶體管 ft 的限制。目前采用電流傳輸器的應(yīng)用主要包括:RF 混頻器、高頻精密整流器以及醫(yī)療產(chǎn)品,比如電阻抗斷層成像系統(tǒng)(EIT)。
雙極型傳輸器
圖 1 所示框圖是使用雙極型器件構(gòu)成的電流傳輸器。
從圖 1 可以看出 CCII 傳輸器可以當(dāng)作一個(gè)理想的晶體管模型:
Y 是基極 / 柵極
X 是發(fā)射極 / 源極
Z 是集電極 / 漏極
這種利用 BJT 構(gòu)成的電路能夠很好地工作,因?yàn)?BJT 的跨導(dǎo)和 Early 電壓比 CMOS 器件高。因此,電流傳輸器可以很好地用作源極跟隨器。增益 X/Y 接近于 1,Z 具有高輸出阻抗,這是 CMOS 電路望塵莫及的。
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