如何用等效密度 NV SRAM 模塊替換 DS1213 SmartSocket

2416061 2022-11-18 | pdf | 109.93KB | 次下載 | 免費

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資料介紹

介紹介紹DS1213 SmartSocket 產(chǎn)品已達(dá)到DS1213 SmartSocket 產(chǎn)品已達(dá)到，可以使用引腳兼容的等效密度 5V NV SRAM 模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝一個完整的一體式內(nèi)存解決方案，保證提供至少 10 年的數(shù)據(jù)保留壽命。替換產(chǎn)品很容易使等效的基于 SmartSocket 的配置的使用壽命延長一倍。，可以使用引腳兼容的等效密度 5V NV SRAM 模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝一個完整的一體式內(nèi)存解決方案，保證提供至少 10 年的數(shù)據(jù)保留壽命。替換產(chǎn)品很容易使等效的基于 SmartSocket 的配置的使用壽命延長一倍。更換決定更換決定隨著任何密度的 PDIP SRAM 產(chǎn)量的減少，確定替代產(chǎn)品的決定可能會因?qū)ふ壹嫒荽鎯?a target='_blank' class='arckwlink_none'>芯片的采購問題而加速。DS12xx 系列的 NV SRAM 模塊包括一個功耗極低的 SRAM 組件，從而消除了過去的雙組件采購要求。這些模塊的“AB”版本允許 ±5% 的工作電源容差，這與之前配備 DS1213 的裝置的電氣特性相匹配。隨著任何密度的 PDIP SRAM 產(chǎn)量的減少，確定替代產(chǎn)品的決定可能會因?qū)ふ壹嫒荽鎯π酒牟少弳栴}而加速。DS12xx 系列的 NV SRAM 模塊包括一個功耗極低的 SRAM 組件，從而消除了過去的雙組件采購要求。這些模塊的“AB”版本允許 ±5% 的工作電源容差，這與之前配備 DS1213 的裝置的電氣特性相匹配。在現(xiàn)有應(yīng)用中，DS1213 SmartSocket 和某些版本的客戶采購的 SRAM 可在沒有外部電源的情況下提供非易失性存儲器陣列用于數(shù)據(jù)存儲。SRAM 規(guī)范將是一個很好的參考，用于確定兩個替代標(biāo)準(zhǔn)，這兩個標(biāo)準(zhǔn)將決定購買哪個速度等級的模塊：內(nèi)存密度和基于內(nèi)存性能的信息。在現(xiàn)有應(yīng)用中，DS1213 SmartSocket 和某些版本的客戶采購的 SRAM 可在沒有外部電源的情況下提供非易失性存儲器陣列用于數(shù)據(jù)存儲。SRAM 規(guī)范將是一個很好的參考，用于確定兩個替代標(biāo)準(zhǔn)，這兩個標(biāo)準(zhǔn)將決定購買哪個速度等級的模塊：內(nèi)存密度和基于內(nèi)存性能的信息。客戶應(yīng)首先研究當(dāng)前安裝的內(nèi)存配置，然后參閱客戶應(yīng)首先研究當(dāng)前安裝的內(nèi)存配置，然后參閱表 1表 1以獲取合適的更換組件。以獲取合適的更換組件。表 1. SmartSocket 替代產(chǎn)品表 1. SmartSocket 替代產(chǎn)品智能插座智能插座SRAM 密度/配置