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硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā)， 實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化，無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開(kāi)發(fā)也在進(jìn)行，但在包括成本在內(nèi)的綜合性能方面還留有 課題。因此，與硅不同，沒(méi)有適當(dāng)?shù)娜コ庸p傷的蝕刻技術(shù)，擔(dān)心無(wú)法切實(shí)去除搭接后的殘留損傷。本方法以開(kāi)發(fā)適合于去 除加工損傷的濕蝕刻技術(shù)為目的，以往的濕蝕刻是評(píng)價(jià)結(jié)晶缺陷的條件，使用加熱到500℃以上的KOH熔體的，溫度越高，安 全性存在問(wèn)題，蝕刻速率高。
硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā)， 實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化，無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開(kāi)發(fā)也在進(jìn)行，但在包括成本在內(nèi)的綜合性能方面還留有 課題。因此，與硅不同，沒(méi)有適當(dāng)?shù)娜コ庸p傷的蝕刻技術(shù)，擔(dān)心無(wú)法切實(shí)去除搭接后的殘留損傷。本方法以開(kāi)發(fā)適合于去 除加工損傷的濕蝕刻技術(shù)為目的，以往的濕蝕刻是評(píng)價(jià)結(jié)晶缺陷的條件，使用加熱到500℃以上的KOH熔體的，溫度越高，安 全性存在問(wèn)題，蝕刻速率高。
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