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引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電 壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。 上次從IGBT的名稱入手，搞清楚了IGBT柵極和雙極性所包含的背后意義。這次我們從IGBT的定義出發(fā)，來看看為什么說IGBT是由BJT和 MOSFET組成的器件？它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系？在應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管 呢？乍看這么多問題好像很頭痛，其實(shí)很簡(jiǎn)單，我們一步一步來。
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