DRAM （動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器）對設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、DDR5 SDRAM、LPDDR、GDDR。

　　DRAM

　　DRAM較其它內(nèi)存類型的一個優(yōu)勢是它能夠以IC（集成電路）上每個內(nèi)存單元更少的電路實(shí)現(xiàn)。DRAM 的內(nèi)存單元基于電容器上貯存的電荷。典型的DRAM 單元使用一個電容器及一個或三個FET（場效應(yīng)晶體管）制成。典型的SRAM （靜態(tài)隨機(jī)訪問內(nèi)存）內(nèi)存單元采取六個FET 器件，降低了相同尺寸時每個IC 的內(nèi)存單元數(shù)量。與DRAM 相比，SRAM 使用起來更簡便，接口更容易，數(shù)據(jù)訪問時間更快。

　　DRAM核心結(jié)構(gòu)由多個內(nèi)存單元組成，這些內(nèi)存單元分成由行和列組成的兩維陣列（參見圖1）。訪問內(nèi)存單元需要兩步。先尋找某個行的地址，然后在選定行中尋找特定列的地址。換句話說，先在DRAM IC 內(nèi)部讀取整個行，然后列地址選擇DRAM IC I/O（輸入/ 輸出）針腳要讀取或要寫入該行的哪一列。

　　DRAM讀取具有破壞性，也就是說，在讀操作中會破壞內(nèi)存單元行中的數(shù)據(jù)。因此，必需在該行上的讀或?qū)懖僮鹘Y(jié)束時，把行數(shù)據(jù)寫回到同一行中。這一操作稱為預(yù)充電，是行上的最后一項(xiàng)操作。必須完成這一操作之后，才能訪問新的行，這一操作稱為關(guān)閉打開的行。

　　對計(jì)算機(jī)內(nèi)存訪問進(jìn)行分析后表明，內(nèi)存訪問中最常用的類型是讀取順序的內(nèi)存地址。這是合理的，因?yàn)樽x取計(jì)算機(jī)指令一般要比數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭敫映Ｓ?。此外，大多?shù)指令讀取在內(nèi)存中順序進(jìn)行，直到發(fā)生到指令分支或跳到子例程。