資料介紹
目前,產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)普遍采用新結構設計制造技術,以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國際領先研發(fā)制造公司均采用了新結構設計制造技術,如軟穿通技術、注入增強門極晶體管( Injection Enhanced Gate Transistor, IEGT)技術、載流子存儲增強技術和平面注入增強技術等。
在前期高速絕緣柵雙極晶體管( IGBT)的基礎上提出一種高速集電極溝槽絕緣柵雙極晶體管( CT-IGBT)。該器件溝槽集電極與漂移區(qū)的內建電勢差感應形成電子溝道而加快關斷速度,且集電極溝槽具有不同于傳統(tǒng)電場截止層( FS)的電場截止機制,并引入低濃度N型層以降低集電極溝槽對空穴注入的抑制作用。硅基材料有限元仿真結果表明,新結構CT-IGBT的關斷下降時間比傳統(tǒng)溝槽FS-IGBT少49%,且前者耐受的雪崩能量比后者高32%。因此,新結構CT-IGBT具有比FS-IGBT更優(yōu)越的關斷速度和強度,可應用于大功率高速電力電子系統(tǒng)。
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