PNP晶體管可以定義為：一個n型材料摻雜有兩個p型材料，例如類型的晶體管被稱為PNP晶體管。它是一種電流控制設備。少量的基極電流同時控制了發(fā)射極和集電極電流。PNP晶體管有兩個背對背連接的晶體二極管。二極管的左側(cè)稱為發(fā)射極-基極二極管，二極管的右側(cè)稱為集電極-基極二極管。

空穴中的電流由PNP晶體管的大部分載流子組成。晶體管內(nèi)部的電流是由空穴的運動產(chǎn)生的，而晶體管引線中的電流是由電子的流動產(chǎn)生的。當小電流流過PNP晶體管的基極時，它會導通。PNP晶體管中的電流從發(fā)射極流向集電極。

PNP三極管的字母表示三極管的發(fā)射極、集電極和基極所需的電壓。PNP晶體管的基極相對于發(fā)射極和集電極始終為負。在PNP晶體管中，電子取自基極端子。進入基極的電流被放大到集電極端。

PNP晶體管的工作原理：

由于發(fā)射極推動基區(qū)中的空穴，發(fā)射極-基極結(jié)以正向偏置連接。這些空穴構(gòu)成發(fā)射極電流。當這些電子進入N型半導體材料或基體時，它們會與電子結(jié)合。晶體管的基極很薄，摻雜很輕。因此，只有少數(shù)空穴與電子結(jié)合，其余的空穴向集電極空間電荷層移動。因此產(chǎn)生基極電流。

反向偏置用于連接集電極-基極區(qū)。當耗盡區(qū)暴露于負極性時，集電極收集或吸引在耗盡區(qū)周圍聚集的空穴。由此產(chǎn)生集電極電流。集電極電流IC允許整個發(fā)射極電流通過。

PNP晶體管的結(jié)構(gòu)構(gòu)造：

PNP晶體管的結(jié)構(gòu)如下圖所示。發(fā)射極-基極結(jié)正向偏置連接，集電極-基極結(jié)反向偏置連接。連接在正向偏置中的發(fā)射極將電子吸引到電池，從而構(gòu)成從發(fā)射極流向集電極的電流。

晶體管的基極相對于集電極總是保持正電，這樣來自集電極結(jié)的空穴就不能進入基極。并且基極-發(fā)射極保持在前方，因此來自發(fā)射極區(qū)的空穴進入基極，然后穿過耗盡區(qū)進入集電極區(qū)。在晶體管的三個部分中發(fā)現(xiàn)摻雜半導體。一側(cè)是發(fā)射極，另一側(cè)是集電極?；厥侵钢虚g的區(qū)域。下面詳細描述晶體管的三個組件。

(1)發(fā)射器：

發(fā)射器的工作是為接收器提供電荷載流子。與基極相比，發(fā)射極總是正向偏置以提供大量電荷載流子。

(2)根據(jù)：

晶體管的基極是中間的部分，在發(fā)射極和集電極之間形成兩個PN結(jié)。基極-發(fā)射極結(jié)正向偏置，使發(fā)射極電路具有低電阻。由于基極-集電極結(jié)的反向偏置，集電極電路具有高電阻。

(3)集電極：

集電極是發(fā)射極對面收集電荷的部分。在收集時，收集器總是偏向相反的方向。晶體管相當于兩個二極管，因為它有兩個PN結(jié)。發(fā)射極-基極二極管或發(fā)射極二極管是發(fā)射極和基極之間結(jié)的名稱。集電極和基極之間的結(jié)稱為集電極-基極二極管或集電極二極管。

PNP晶體管的表示符號：

PNP晶體管由字母PNP表示。在下圖中，描繪了PNP晶體管的符號。在PNP晶體管中，電流從發(fā)射極流向集電極，如向內(nèi)箭頭所示。

PNP晶體管的常規(guī)應用：

1.放大電路利用了它們。

2.在嵌入式項目中，晶體管用作開關(guān)，并且由于快速開關(guān)，它們也用于生成PWM信號。

3.(多晶體管配置)對電路的使用。

4.在電動機中，PNP晶體管用于控制電流。

5.在配對電路中，PNP晶體管用于同時產(chǎn)生有爭議的功率。

審核編輯：湯梓紅