本文研究了 基于形狀修正的電子束光刻分級(jí)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)，在內(nèi)部鄰近效應(yīng)校正的基礎(chǔ)上，在計(jì)算圖形之間產(chǎn)生的相互鄰近效應(yīng)過(guò)程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口機(jī)制。局部曝光窗口的區(qū)域小，對(duì)計(jì)算精度影響大，采用累積求和的方法進(jìn)行精確計(jì)算;全局曝光窗口區(qū)域大，對(duì)計(jì)算精度影響小，采用大像點(diǎn)近似的方法進(jìn)行計(jì)算，從而更快速地實(shí)現(xiàn)鄰近效應(yīng)校正。該技術(shù)的應(yīng)用，滿足了校正精度和運(yùn)算速度兩方面的要求。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模擬結(jié)果一致，表明通過(guò)采用局部曝光窗口和全局曝光窗口機(jī)制，能夠快速地實(shí)現(xiàn)相互鄰近效應(yīng)校正，在校正精度相同的情況下，有效提高了運(yùn)算速度。

　　微細(xì)加工技術(shù)是制備超大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵技術(shù)，它可以按照設(shè)計(jì)圖形實(shí)現(xiàn)高精度的微型器件加工。隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)集成電路分辨率的要求越來(lái)越高，這就對(duì)圖形加工技術(shù)提出了更高的要求。電子束光刻是極好的高分辨率圖形加工技術(shù)，理論上其分辨率可達(dá)3~8nm ，但是。由于電子在抗蝕劑和基片中可產(chǎn)生多達(dá)數(shù)微米的散射，因此抗蝕劑中某一點(diǎn)所吸收到的能量沉積會(huì)受到該點(diǎn)和相鄰曝光點(diǎn)人射電子劑量的影響。在較大曝光區(qū)域的中心會(huì)包含來(lái)自周?chē)松潆娮拥暮芏喾至?，而該區(qū)域的拐角和邊緣處沒(méi)有接收到相同的總劑量，導(dǎo)致顯影圖形發(fā)生偏移。如果邊緣處的吸收能量密度正好為顯影閾值，那么其拐角處則不能顯影出所希望的位置，這稱為內(nèi)部鄰近效應(yīng)”。當(dāng)相鄰的圖形相距很近時(shí)，則產(chǎn)生共同的曝光效應(yīng)，使相鄰圖形之間彼此向?qū)Ψ酵钩龊脱由欤踔列纬蓸蚪蝇F(xiàn)象，這稱為相互鄰近效應(yīng)”。