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標(biāo)簽 > 三星
作為全球知名的公司,三星電子在2005 年宣布了“三星五大經(jīng)營原則”,展現(xiàn)了其對企業(yè)社會責(zé)任的承諾。這些原則也是三星電子遵守法律與道德準(zhǔn)則、履行企業(yè)社會責(zé)任和全球行為準(zhǔn)則的基礎(chǔ)。
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無線充電對手機(jī)電池有損害嗎 無線充電對所有型號手機(jī)都可以嗎
某些無線充電技術(shù)可能支持快速充電,但較高的充電速度可能會引起電池溫度升高,從而對電池壽命產(chǎn)生一定影響。此外,一個好的無線充電器應(yīng)該具備功率管理,能夠智能...
雕刻電路圖案的核心制造設(shè)備是光刻機(jī),它的精度決定了制程的精度。光刻機(jī)的運作原理是先把設(shè)計好的芯片圖案印在掩膜上,用激光穿過掩膜和光學(xué)鏡片,將芯片圖案曝光...
E拆解:光拆解可不夠,再來看看Z Flip4內(nèi)部芯片和模組
上期我們說到Z Flip4內(nèi)部結(jié)構(gòu)非常緊湊,拆解起來是有些難度。今天就來看看三星 Galaxy Z Flip4的芯片與部分模組信息。 在拆解時我們也說到...
光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞,也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么,讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 標(biāo)簽:EUV半導(dǎo)體工藝三星 5691 0
以往的設(shè)備拆解,我們都會先分享拆機(jī)的步驟,以及內(nèi)部構(gòu)造。但大家最關(guān)注的還是內(nèi)部的器件或者IC信息。那么這次關(guān)于三星 Galaxy S23+,我們就先來看...
數(shù)據(jù)顯示國內(nèi)需近40%顯示屏需求
LED顯示屏技術(shù)仍持續(xù)發(fā)展,新應(yīng)用領(lǐng)域也不斷被開發(fā)出來。未來幾年,虛擬拍攝、會議一體機(jī)和裸眼3D廣告牌等有望繼續(xù)在LED顯示屏領(lǐng)域發(fā)力。
隨著摩爾定律的放緩,芯粒(Chiplet)和異構(gòu)集成 (HI:heterogenous integration) 提供了一種令人信服的方式來繼續(xù)改進(jìn)性能...
三星宣布業(yè)界首個3nm級制造技術(shù)開始大量生產(chǎn)
納米線是直徑在納米量級的納米結(jié)構(gòu)。納米線技術(shù)的基本吸引力之一是它們表現(xiàn)出強(qiáng)大的電學(xué)特性,包括由于其有效的一維結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的高電子遷移率。
2022-04-29 標(biāo)簽:臺積電晶體管場效應(yīng)晶體管 2834 0
消費者在購買手機(jī)充電器時會更傾向選擇原裝充電器,雖說現(xiàn)在第三方充電器的品質(zhì)足夠優(yōu)秀,并且相較部分手機(jī)原裝充電器而言,其支持的協(xié)議更全面,性能更強(qiáng),但還是...
在Hot Chips 2023上,三星展示了內(nèi)存技術(shù),內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄嶋H的計算引擎。
2023-10-07 標(biāo)簽:cpuAI內(nèi)存技術(shù) 1770 0
我們將迎來未來智能手機(jī)形態(tài)和交互的全新變革期,比如可折疊手機(jī)的上市,以及首批5G產(chǎn)品的上市??烧郫B手機(jī)最大的優(yōu)勢在于其柔性折疊,那么是什么賦予手機(jī)這種特性呢?
全球Top25半導(dǎo)體公司發(fā)布:臺積電領(lǐng)跑,英偉達(dá)異軍突起
在全球半導(dǎo)體市場遭遇諸多挑戰(zhàn)的2023年,臺積電卻以穩(wěn)健的步伐取得了驕人的成績。盡管其營收同比出現(xiàn)了9%的下滑,但相較于英特爾營收同比下滑的14%,臺積...
2024-04-16 標(biāo)簽:高通英特爾半導(dǎo)體制造 1679 0
2023年全球電視市場遭遇下行壓力,Mini LED技術(shù)崛起引領(lǐng)新格局
與電視整機(jī)市場緊密相連的上游面板產(chǎn)業(yè)也呈現(xiàn)出了相應(yīng)的變化趨勢。2023年,全球液晶電視面板出貨總量同比下降了10.6%。
三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片,位密度提升50%
在技術(shù)層面,第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù),在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上,再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破,堆...
芯片設(shè)計晶圓代工的3D IC架構(gòu)挑戰(zhàn)
由于裸片通過TSV供電,后者在現(xiàn)有的 2D 設(shè)計中是不存在的,每個裸片的電壓降(IR)/ 電遷移(EM)可能會相互影響。為解決這一問題,我們同時分析了多...
臺積電的16nm有多個版本,包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)(16FF +)和16nm FinFET Compact技術(shù)...
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