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      標(biāo)簽　>　三星

      三星

      三星

      +關(guān)注1人關(guān)注

      作為全球知名的公司，三星電子在2005 年宣布了“三星五大經(jīng)營(yíng)原則”，展現(xiàn)了其對(duì)企業(yè)社會(huì)責(zé)任的承諾。這些原則也是三星電子遵守法律與道德準(zhǔn)則、履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任和全球行為準(zhǔn)則的基礎(chǔ)。

      文章：1621個(gè) 瀏覽：32528次 帖子：282個(gè)

      三星技術(shù)

      無(wú)線充電對(duì)手機(jī)電池有損害嗎 無(wú)線充電對(duì)所有型號(hào)手機(jī)都可以嗎

      某些無(wú)線充電技術(shù)可能支持快速充電，但較高的充電速度可能會(huì)引起電池溫度升高，從而對(duì)電池壽命產(chǎn)生一定影響。此外，一個(gè)好的無(wú)線充電器應(yīng)該具備功率管理，能夠智能...

      2023-08-25 標(biāo)簽：華為蘋果無(wú)線充電器 1.2萬(wàn) 0

      一文讀懂microSD卡標(biāo)識(shí)

      一文讀懂microSD卡標(biāo)識(shí)

      microSD卡的原名為Trans-flash Card（簡(jiǎn)稱TF卡），是一種微型的快閃存儲(chǔ)器卡，被SD協(xié)會(huì)采納后被命名為microSD卡，其體積為長(zhǎng)1...

      2023-05-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器SD卡攝像頭 1.1萬(wàn) 0

      全球主要晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)路線圖

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      雕刻電路圖案的核心制造設(shè)備是光刻機(jī)，它的精度決定了制程的精度。光刻機(jī)的運(yùn)作原理是先把設(shè)計(jì)好的芯片圖案印在掩膜上，用激光穿過(guò)掩膜和光學(xué)鏡片，將芯片圖案曝光...

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      E拆解：光拆解可不夠，再來(lái)看看Z Flip4內(nèi)部芯片和模組

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      上期我們說(shuō)到Z Flip4內(nèi)部結(jié)構(gòu)非常緊湊，拆解起來(lái)是有些難度。今天就來(lái)看看三星 Galaxy Z Flip4的芯片與部分模組信息。 在拆解時(shí)我們也說(shuō)到...

      2022-10-27 標(biāo)簽：手機(jī)無(wú)線充電拆解 6122 0

      E拆解：三星 Galaxy S23+IC組件大曝光

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      以往的設(shè)備拆解，我們都會(huì)先分享拆機(jī)的步驟，以及內(nèi)部構(gòu)造。但大家最關(guān)注的還是內(nèi)部的器件或者IC信息。那么這次關(guān)于三星 Galaxy S23+，我們就先來(lái)看...

      2023-04-25 標(biāo)簽：手機(jī)nfcGalaxy 5686 0

      深度解析EUV光刻工藝技術(shù)

      光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。

      2022-10-18 標(biāo)簽：EUV半導(dǎo)體工藝三星 5680 0

      數(shù)據(jù)顯示國(guó)內(nèi)需近40%顯示屏需求

      數(shù)據(jù)顯示國(guó)內(nèi)需近40%顯示屏需求

      LED顯示屏技術(shù)仍持續(xù)發(fā)展，新應(yīng)用領(lǐng)域也不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)。未來(lái)幾年，虛擬拍攝、會(huì)議一體機(jī)和裸眼3D廣告牌等有望繼續(xù)在LED顯示屏領(lǐng)域發(fā)力。

      2022-06-07 標(biāo)簽：ledMini三星 3019 0

      芯片內(nèi)部，如何互聯(lián)？

      隨著摩爾定律的放緩，芯粒（Chiplet）和異構(gòu)集成 (HI：heterogenous integration) 提供了一種令人信服的方式來(lái)繼續(xù)改進(jìn)性能...

      2023-02-02 標(biāo)簽：芯片cpu晶圓 2944 0

      三星宣布業(yè)界首個(gè)3nm級(jí)制造技術(shù)開(kāi)始大量生產(chǎn)

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      納米線是直徑在納米量級(jí)的納米結(jié)構(gòu)。納米線技術(shù)的基本吸引力之一是它們表現(xiàn)出強(qiáng)大的電學(xué)特性，包括由于其有效的一維結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的高電子遷移率。

      2022-04-29 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2827 0

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      電池每Ah的電解液用量如下圖所示，電解液應(yīng)填充電極和隔膜中的所有孔，但仍在電池內(nèi)留下一些空隙空間沒(méi)有被電解液填充，一般認(rèn)為3g/Ah電解質(zhì)用量是合理的。

      2024-03-01 標(biāo)簽：索尼LG電解液 1852 0

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      消費(fèi)者在購(gòu)買手機(jī)充電器時(shí)會(huì)更傾向選擇原裝充電器，雖說(shuō)現(xiàn)在第三方充電器的品質(zhì)足夠優(yōu)秀，并且相較部分手機(jī)原裝充電器而言，其支持的協(xié)議更全面，性能更強(qiáng)，但還是...

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      從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。

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      我們將迎來(lái)未來(lái)智能手機(jī)形態(tài)和交互的全新變革期，比如可折疊手機(jī)的上市，以及首批5G產(chǎn)品的上市。可折疊手機(jī)最大的優(yōu)勢(shì)在于其柔性折疊，那么是什么賦予手機(jī)這種特性呢？

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      在Hot Chips 2023上，三星展示了內(nèi)存技術(shù)，內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。

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      2nm制程報(bào)價(jià)直逼2.5萬(wàn)美元

      芯片制造領(lǐng)域正迎來(lái)3納米工藝的興起，并且2納米競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)全面展開(kāi)。

      2023-06-28 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片制造2nm 1722 0

      全球Top25半導(dǎo)體公司發(fā)布：臺(tái)積電領(lǐng)跑，英偉達(dá)異軍突起

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      在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)遭遇諸多挑戰(zhàn)的2023年，臺(tái)積電卻以穩(wěn)健的步伐取得了驕人的成績(jī)。盡管其營(yíng)收同比出現(xiàn)了9%的下滑，但相較于英特爾營(yíng)收同比下滑的14%，臺(tái)積...

      2024-04-16 標(biāo)簽：高通英特爾半導(dǎo)體制造 1679 0

      2023年全球電視市場(chǎng)遭遇下行壓力，Mini LED技術(shù)崛起引領(lǐng)新格局

      與電視整機(jī)市場(chǎng)緊密相連的上游面板產(chǎn)業(yè)也呈現(xiàn)出了相應(yīng)的變化趨勢(shì)。2023年，全球液晶電視面板出貨總量同比下降了10.6%。

      2024-04-10 標(biāo)簽：OLED三星Mini LED 1541 0

      三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片，位密度提升50%

      在技術(shù)層面，第九代V-NAND無(wú)疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆...

      2024-04-28 標(biāo)簽：NANDTLCV-NAND 1516 0

      芯片設(shè)計(jì)晶圓代工的3D IC架構(gòu)挑戰(zhàn)

      由于裸片通過(guò)TSV供電，后者在現(xiàn)有的 2D 設(shè)計(jì)中是不存在的，每個(gè)裸片的電壓降（IR）/ 電遷移（EM）可能會(huì)相互影響。為解決這一問(wèn)題，我們同時(shí)分析了多...

      2023-03-30 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)eda晶圓代工 1410 0

      先進(jìn)制程工藝止步14nm制程的原因有哪些？

      臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)...

      2023-04-14 標(biāo)簽：臺(tái)積電14nm三星 1334 0

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        +關(guān)注
        8K分辨率是一種實(shí)驗(yàn)中的數(shù)字視頻標(biāo)準(zhǔn)，由日本放送協(xié)會(huì)（NHK）、英國(guó)廣播公司（BBC）及意大利廣播電視公司（RAI）等機(jī)構(gòu)所倡議推動(dòng) 。
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        +關(guān)注
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        FRC
        +關(guān)注
      • 量子點(diǎn)技術(shù)
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      Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
      Coilcraft LRC trinamic
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      時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
      線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
      振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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      電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
      開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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