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標(biāo)簽 > 二極管
二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
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再次談及Si二極管,將說(shuō)明肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱為SBD)的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征:如前文所述,Si-SBD并非PN結(jié),而是利用硅稱之...
2023-02-09 標(biāo)簽:二極管SBD肖特基勢(shì)壘二極管 1182 0
200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管:RBxx8BM200/RBxx8NS200
RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR(反向電流)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD),且實(shí)現(xiàn)了200V耐壓的肖特基勢(shì)壘二極管的新產(chǎn)品。主要目...
碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃,那樣更平穩(wěn),還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化...
在硬開關(guān)連續(xù)導(dǎo)電模式Boost變換中,升壓二極管的反向恢復(fù)會(huì)引起較大的反向恢復(fù)損耗和過(guò)高的di/dt,產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾。在提高功率因數(shù)的同時(shí),提高開關(guān)...
碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/c...
碳化硅二極管是單極器件,因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比,碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí),幾乎沒有...
高效ThinSOT白光LED驅(qū)動(dòng)器具有內(nèi)部開關(guān)和肖特基二極管
LT?3465 白光 LED 驅(qū)動(dòng)器非常適合背光 小型電池供電便攜式設(shè)備中的電路— 如手機(jī)、掌上電腦和數(shù)碼相機(jī)。這 LT3465 包括一些重要功能,例如...
2023-02-08 標(biāo)簽:電容器二極管led驅(qū)動(dòng)器 1026 0
砷化鎵太陽(yáng)能電池最大效率預(yù)計(jì)可以達(dá)到23%~26%,它是目前各種類型太陽(yáng)能電池中效率預(yù)計(jì)最高的一種。砷化鎵太陽(yáng)能電池抗輻射能力強(qiáng),并且能在比較高的溫度環(huán)...
2023-02-08 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池二極管砷化鎵 1.7萬(wàn) 0
這個(gè)電路是很簡(jiǎn)單,這里的二極管是大電流二極管,電容是極性電容,容量也是uf級(jí)的,這個(gè)容量選大點(diǎn)比較好,兩個(gè)二極管D1和D2輪流導(dǎo)通,我們知道電網(wǎng)來(lái)的交流...
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等,有時(shí)特指雙極型器件),具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、...
2023-02-08 標(biāo)簽:三極管二極管場(chǎng)效應(yīng)管 926 0
低頻濾波電容主要用于市電濾波或變壓器整流后的濾波,其工作頻率與市電一致為50Hz;而高頻濾波電容主要工作在開關(guān)電源整流后的濾波,其工作頻率為幾千Hz到幾萬(wàn)Hz。
關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無(wú)需自舉二極管...
2023-02-08 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器變頻器 1294 0
RGWxx65C系列IGBT在FRD+I(xiàn)GBT的車載充電器案例中,開關(guān)損耗降低67%
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT:RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD+I(xiàn)GBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67...
二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND...
下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢(shì)壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特...
SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管的比較
繼SiC功率元器件的概述之后,將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管:下面從SiC肖...
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