反向恢復(fù)過(guò)程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過(guò)的轉(zhuǎn)換過(guò)程稱為反向恢復(fù)過(guò)程 。由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，那就
2022-12-10 17:06:38
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Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲(chǔ)。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級(jí)。這對(duì)于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
二極管是單向?qū)ǎ敲?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復(fù)時(shí)間是什么，需要怎么測(cè)試
2023-09-27 07:51:57
? 通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是最近比較熱門的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點(diǎn)：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓
2012-07-15 15:28:24
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候，流過(guò)電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：
2021-03-22 17:25:26
反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。二極管和一般開關(guān)的不同在于,"開"與"關(guān)"由所加電壓的極性決定, 而且"開"態(tài)有微小的壓降Vf
2019-12-03 10:16:05
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問(wèn)題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢(shì)壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
）結(jié)構(gòu)示意圖，其結(jié)構(gòu)大致可分為四部分，上表面陽(yáng)極金屬、外延層（漂移區(qū)+緩沖區(qū)）、襯底層和背面陰極金屬?！ ∽鳛閱螛O型器件，碳化硅肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)尤為突出，其“反向恢復(fù)為零”的特點(diǎn)讓其反向特性相比硅基快恢復(fù)
2023-02-28 16:55:45
5A、10A和15A對(duì)應(yīng)的反向恢復(fù)電流分別是9.3A、13.0A和15.8A； 碳化硅肖特基二極管在5A、10A和15A對(duì)應(yīng)的反向恢復(fù)電流分別是2.5A、3.1A和3.6A；從測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)看，在5A
2023-02-28 16:34:16
自身的溫度，還會(huì)影響其對(duì)電源電路的效率。不同反向電壓下的漏電流是不同的。關(guān)系如下圖所示：反向電壓越大漏電流越大，肖特基管常溫下的漏電流可以忽略不計(jì)。 3、快恢復(fù)二極管型號(hào)大全之快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)
2021-07-30 14:33:17
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無(wú)反向恢復(fù)電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
想請(qǐng)教大家一下LLC輸出二極管是零電流開通和關(guān)斷，不存在反向恢復(fù)的問(wèn)題，是否可以采用普通二極管？求解答謝謝
2016-01-07 17:07:05
設(shè)定反向恢復(fù)時(shí)間的trr。我右鍵edit model仔細(xì)看過(guò)了確實(shí)也沒有反向恢復(fù)時(shí)間這個(gè)參數(shù)，我也調(diào)出來(lái)本來(lái)庫(kù)里有的快恢復(fù)二極管MUR系列，右鍵edit model也沒有看到設(shè)定反向恢復(fù)時(shí)間的參數(shù)。請(qǐng)大神指點(diǎn)，怎么修改反向恢復(fù)時(shí)間，很重要，多謝多謝，回帖有加分。
2018-04-04 09:08:27
首先，看一下PiN二極管在什么情況下會(huì)產(chǎn)生反向恢復(fù)？二極管發(fā)生反向恢復(fù)的條件是它正在導(dǎo)通的時(shí)候，突然承受反向電壓被迫關(guān)斷。在這里我們還是以經(jīng)典的雙脈沖測(cè)試電路為例進(jìn)行說(shuō)明，如圖1所示?！ D
2020-12-08 15:44:26
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無(wú)反向恢復(fù)電流? 溫度無(wú)關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢(shì)：?基本上
2021-11-06 09:26:20
碳化硅為半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的肖特基二極管，由于碳化硅的優(yōu)點(diǎn)，它的應(yīng)用范圍可以擴(kuò)展到200V以上場(chǎng)合。對(duì)于不同的應(yīng)用，碳化硅肖特基二極管具有以下優(yōu)勢(shì)： ·由等效電容造成的反向恢復(fù)電荷很少，所以硅二極管中常
2019-01-02 13:57:40
恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能
2019-03-11 11:24:39
反向恢復(fù)的幾種方法為解決功率二極管反向恢復(fù)問(wèn)題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問(wèn)題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來(lái)了器件革命的曙光，它幾乎不存在反向恢復(fù)
2017-08-17 18:13:40
在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管，常用的主要有快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基勢(shì)壘二極管。 快恢復(fù)二極管和超快恢復(fù)二極管廣泛用于PWM脈寬調(diào)制器、開關(guān)電源
2020-10-29 08:50:49
為什么普通整流二極管都沒標(biāo)反向恢復(fù)時(shí)間？
2023-04-20 16:43:24
的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點(diǎn)：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降
2017-05-22 14:07:53
以AC/DC Boost開關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠(yuǎn)比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們?cè)敿?xì)討論了二極管的結(jié)電容：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的結(jié)電容參數(shù)，它的大小和反向恢復(fù)時(shí)間沒有關(guān)系。如下表所示：序號(hào)種類型號(hào)結(jié)電容反向恢復(fù)時(shí)間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
什么是反向恢復(fù)過(guò)程？二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過(guò)程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過(guò)程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
最近比較熱門的
碳化硅二極管是用
碳化硅為原料的
二極管。目前常見的多為高壓的肖特基
碳化硅二極管，其優(yōu)點(diǎn)：
反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅
二極管。但是可以做高壓的
二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔?/div>
2014-04-26 13:42:10
：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受沖擊電流
2016-11-14 20:04:40
，理論上沒有反向恢復(fù)時(shí)間，而快恢復(fù)二極管本質(zhì)上和PIN二極管-一樣，是少子器件的反向恢復(fù)時(shí)間通常在幾十到幾百ns。3.額定反向耐壓下，快恢復(fù)二極管的反向漏電流較小，通常在幾u(yù)A到幾十uA;肖特基二極管的反向漏電流則通常達(dá)到幾百uA到幾+mA，且隨溫度升高急劇增大。`
2018-11-01 15:26:11
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
)功率二極管反向恢復(fù)特性(b)二極管關(guān)斷原理電路(c)關(guān)斷過(guò)程中非平衡載流子濃度分布變化圖反向恢復(fù)過(guò)程從時(shí)間T=0開始，施加反向電壓V，可以看見，正向電流Ifm開始減小，知道T0時(shí)正向電流將為0。從T
2023-02-14 15:46:54
對(duì)于二極管來(lái)說(shuō)，加在其兩端的電壓由正向變到反向時(shí)，響應(yīng)時(shí)間一般很短，而相反的由反向變正向時(shí)其時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)，此即為反向恢復(fù)時(shí)間，當(dāng)二極管用做高頻整流等時(shí)，要求反向恢復(fù)時(shí)間很短，此時(shí)就需要快恢復(fù)二極管
2021-06-30 13:51:20
一步提升電源效率。針對(duì)上述情況，解決方案有以下兩種?！ 》桨敢唬簩GBT單管上反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管換成基本半導(dǎo)體的“零反向恢復(fù)”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來(lái)封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀 長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T8024-2010，使用矩形波法測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間。一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
得到更低柵極開關(guān)驅(qū)動(dòng)損耗（圖1）.碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過(guò)
2023-02-07 15:59:32
如何選擇開關(guān)電源次級(jí)輸出的整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間？
2023-04-20 16:41:42
如何選擇開關(guān)電源次級(jí)輸出的整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間？
2023-05-15 17:47:45
中減小損耗和電磁干擾，可靠性高?？蓱?yīng)用于低電壓整流，高頻轉(zhuǎn)換開關(guān)，開關(guān)電源、高頻直流轉(zhuǎn)換器、續(xù)流和極性保護(hù)等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二極管反向恢復(fù)過(guò)程以及注意點(diǎn) 反向恢復(fù)時(shí)間限制了二極管的開關(guān)速度，這一點(diǎn)尤其需要
2020-09-24 16:10:01
?快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？?b class="flag-6" style="color: red">恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾
2020-09-24 16:04:45
快恢復(fù)二極管與普通整流二級(jí)管最大的區(qū)別就是快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。那么快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是如何定義的呢？下面來(lái)給大家普及一下基礎(chǔ)知識(shí)：快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）的定義：電流
2017-02-10 17:51:37
快恢復(fù)二極管與普通整流二級(jí)管最大的區(qū)別就是快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。那么快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是如何定義的呢？下面來(lái)給大家普及一下基礎(chǔ)知識(shí)：快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）的定義：電流
2021-08-13 17:15:07
快恢復(fù)二極管快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能
2023-02-17 14:08:01
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡(jiǎn)稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-16 14:56:38
客戶簡(jiǎn)單講解一下。肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，其特長(zhǎng)是開關(guān)速度非常快，反向恢復(fù)時(shí)間可以小到幾個(gè)納秒，正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安。所以適合在低電壓、大電流
2015-10-19 11:26:11
快恢復(fù)二極管，它具有開關(guān)特性好，反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積較小、安裝簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。可作高頻、大電流的整流、續(xù)流二極管，在開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間電源(UPS)、高頻加熱、交流電
2022-03-31 10:04:12
快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用?！ 】?b class="flag-6" style="color: red">恢復(fù)
2021-09-09 06:52:46
快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)
2015-11-27 17:55:42
減少，反向恢復(fù)時(shí)間trr可低至幾十納秒。 肖特基二極管是肖特基勢(shì)壘二極管的簡(jiǎn)稱，它的構(gòu)造原理與普通PN結(jié)二極管有著很大區(qū)別：其內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬(用金、銀、鉬、鋁等)、二氧化硅電場(chǎng)消除材料、N外延層材料
2021-05-14 08:11:44
高壓二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4023-1997，使用矩形波法測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間。一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種高速高壓二極管 B：二極管反向電流峰值50mA（定制）C：二極管正向
2015-03-11 14:02:20
和高速關(guān)斷能力，即具有短的反向恢復(fù)時(shí)間trr，較小的反向恢復(fù)電流IRRM和軟恢復(fù)特性?！ ≡诟邏?、大電流的電路中，傳統(tǒng)的PIN二極管具有較好的反向耐壓性能，且正向時(shí)它可以在很低的電壓下就會(huì)導(dǎo)通較大的電流
2019-10-10 13:38:53
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復(fù)時(shí)間，也就是肖特基二極管由流過(guò)正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復(fù)過(guò)程
2021-01-08 06:22:44
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場(chǎng)合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復(fù)時(shí)間(trr)及反向恢復(fù)電荷(Qrr)從而降低二極管開關(guān)損耗及操聲,便于實(shí)現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
` 快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V
2019-01-08 13:56:57
肖特基二極管是什么？ 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時(shí)間可小到幾個(gè)納秒（2-10ns納秒），正向壓降
2016-04-19 14:29:35
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒！ 優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速！電特性當(dāng)然都是二極管！ 復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝
2015-11-27 18:02:58
）和發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管（ETO）等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間短，但是就傳統(tǒng)的肖特基二極管它的耐壓一般不超過(guò)200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐
2023-02-20 15:15:50
一、二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)過(guò)程在上圖所示的硅二極管電路中加入一個(gè)如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時(shí)間內(nèi)，輸入為+VF，二極管導(dǎo)通，電路中有電流流通?！ ≡O(shè)VD為二極管正向壓降（硅管為
2020-02-25 07:00:00
請(qǐng)教一下大佬二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
編輯-Z超快恢復(fù)二極管如何選？我們?cè)谶x用超快恢復(fù)二極管時(shí)要注意什么呢？下面給大家介紹一下ASEMI超快恢復(fù)二極管資料。 當(dāng)我們選擇超快恢復(fù)二極管整流器時(shí)，總是會(huì)關(guān)注反向恢復(fù)時(shí)間trr（它代表從指定
2021-10-25 17:34:10
超高速二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測(cè)量精度1nSE：二極管接反、短路開路保護(hù)F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與 硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受
2020-09-18 17:00:12
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對(duì)開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 11:50:51
3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對(duì)開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC
2022-06-05 17:20:01
碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等電壓規(guī)格硅基MOSFET
2019-04-28 15:11:499743 碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。可以有效降低反向漏電
2020-11-17 15:55:056028 碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)取決于它具有極快的電源開關(guān)速率且無(wú)反向恢復(fù)電流量，與硅元器件對(duì)比，它可以大幅度降低開關(guān)損耗并完成非凡的能耗等級(jí)。
2023-02-09 10:05:52691 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:171732 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 的通斷狀態(tài)切換速度非?？欤灿闷胀p極二極管技術(shù)切換時(shí)的反向恢復(fù)電流。清除反向恢復(fù)電流效應(yīng)后，碳化硅二極管的能耗降低了70%，可在較寬的溫度范圍內(nèi)保持較高的能效，提
2022-12-14 11:36:05843 
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