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標(biāo)簽 > 伏安特性

伏安特性

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伏安特性是指一種元件兩端所加的電壓與通過(guò)它的電流之間的關(guān)系。例:對(duì)于一個(gè)電阻來(lái)說(shuō),它兩端的電壓U與通過(guò)它的電流 I 是成正比的,那么就是電阻的伏安特性曲線是一條直線。

文章:68個(gè) 瀏覽:16108 帖子:10個(gè)

伏安特性技術(shù)

如何繪制二極管的伏安特性曲線

如何繪制二極管的伏安特性曲線

經(jīng)常在教科書(shū)中看到類似于下圖中的二級(jí)管伏安特性曲線。

2023-04-13 標(biāo)簽:電路圖伏安特性曲線 6764 0

一文認(rèn)識(shí)壓敏電阻

一文認(rèn)識(shí)壓敏電阻

今天這篇文章用5000字的篇幅講清楚壓敏電阻。

2023-11-20 標(biāo)簽:電阻器壓敏電阻保險(xiǎn)絲 6249 0

光電管伏安特性曲線形成的原因及特點(diǎn)是什么

光電管是一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的光電探測(cè)器,廣泛應(yīng)用于科研、醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域。

2024-05-27 標(biāo)簽:伏安特性光電管 6019 0

三極管的伏安特性曲線和靜態(tài)工作點(diǎn)選擇

三極管的伏安特性曲線和靜態(tài)工作點(diǎn)選擇

三極管是一種常用的電子元件,其伏安特性曲線描述了三極管在不同電壓和電流條件下的電性能。

2023-02-24 標(biāo)簽:三極管eda伏安特性 5873 0

引起LED光衰的主要原因是什么?

1200小時(shí)亮燈后的光衰,最好的為8%,最差的為26%,平均為14%。按照Cree公司的測(cè)試結(jié)果,結(jié)溫在105度時(shí),14%光衰也應(yīng)當(dāng)要在工作了6000小...

2018-09-14 標(biāo)簽:led光衰伏安特性恒壓電源 5699 0

二極管的主要原理及特性講解

二極管的主要原理及特性講解

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。

2023-02-14 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體PN結(jié) 4800 0

二極管的伏安特性詳解

二極管,作為電子學(xué)中的基礎(chǔ)元件,其伏安特性是理解和應(yīng)用其功能的關(guān)鍵。二極管伏安特性描述了二極管兩端的電壓與其通過(guò)的電流之間的關(guān)系,是二極管性能的重要參數(shù)...

2024-05-21 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)伏安特性 4762 0

nmos晶體管的電流方程 nmos晶體管飽和伏安特性方程

nmos晶體管的電流方程 nmos晶體管飽和伏安特性方程

nMOS晶體管導(dǎo)通是通過(guò)溝道里面的電子產(chǎn)生電流的,一般NMOS的源極接襯底,共同接到地,漏極到源極加上正電壓,電子從源極向漏極流動(dòng),我們?nèi)‰娏鞯姆较蚝碗?..

2023-02-11 標(biāo)簽:晶體管伏安特性NMOS管 4625 0

IV法測(cè)三極管伏安特性的仿真分析

IV法測(cè)三極管伏安特性的仿真分析

今天小川給大家分享是IV法測(cè)三極管伏安特性的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。

2023-03-01 標(biāo)簽:三極管仿真Multisim 4317 0

摻雜對(duì)PN結(jié)伏安特性的影響

摻雜對(duì)PN結(jié)伏安特性的影響是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要議題。PN結(jié)作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),其性能在很大程度上取決于摻雜濃度、摻雜類型以及摻雜分布等因素。...

2024-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)伏安特性 4004 0

二極管為什么不能并聯(lián)使用?

二極管為什么不能并聯(lián)使用?

二極管是一種半導(dǎo)體器件,是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì),只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。這種特性使得二極管在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。然而,...

2023-05-04 標(biāo)簽:并聯(lián)二極管半導(dǎo)體 3804 0

電阻與二極管的伏安特性有何區(qū)別

電阻與二極管是兩種常見(jiàn)的電子元件,它們?cè)陔娐分衅鹬煌淖饔?。本文將分析電阻與二極管的伏安特性,并探討它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中的應(yīng)用。 一、電阻的伏安特性 電阻...

2024-07-10 標(biāo)簽:二極管電阻電子元件 3636 0

MOSFET的尺寸及伏安特性

MOSFET的尺寸及伏安特性

Fig. 2標(biāo)出了我們所關(guān)注的MOSFET器件的幾何尺寸,包括溝道的有效長(zhǎng)度L_eff(導(dǎo)體的長(zhǎng)度L_drawn略大于L_eff),溝道的寬度W,絕緣層...

2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體伏安特性 3503 0

晶閘管的靜態(tài)特性與伏安特性詳解

晶閘管的靜態(tài)特性主要涉及其在靜態(tài)條件下的電氣特性,包括其導(dǎo)通和關(guān)斷的行為。

2024-05-24 標(biāo)簽:晶閘管伏安特性靜態(tài)特性 3385 0

單結(jié)晶體管的工作原理和伏安特性

單結(jié)晶體管的工作原理和伏安特性

單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱UJT),又稱基極二極管或單晶二極管,是一種具有獨(dú)特工作原理和伏安特性的半導(dǎo)體...

2024-09-23 標(biāo)簽:二極管單結(jié)晶體管伏安特性 3379 0

晶體管輸出伏安特性講解

晶體管輸出伏安特性講解

晶體管輸出伏安特性,是指一個(gè)確定的基極電流Ib下,集電極電流Ic與與輸入電壓Uce的關(guān)系,理想狀態(tài)下如下圖關(guān)系,集電極電流與輸入電壓沒(méi)有關(guān)系,是由基極電...

2023-02-23 標(biāo)簽:三極管晶體管放大 3190 0

二極管及其電路設(shè)計(jì)應(yīng)用(8個(gè)作用詳解)

二極管及其電路設(shè)計(jì)應(yīng)用(8個(gè)作用詳解)

二極管是最簡(jiǎn)單的雙極性半導(dǎo)體,A為正極,B為負(fù)極,具有單向?qū)щ姽δ?,電流從A流向B。

2023-05-30 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì) 3108 0

一文詳解半導(dǎo)體二極管

一文詳解半導(dǎo)體二極管

將PN結(jié)封裝,引出兩個(gè)電極,就構(gòu)成了二極管。

2023-03-21 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電極 2548 0

NPN型晶體管的伏安特性解析

NPN型晶體管的伏安特性解析

伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測(cè)試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢? 晶體管有三個(gè)引腳,因此需用通過(guò)兩個(gè)伏安特性來(lái)展示晶體管的特...

2023-02-20 標(biāo)簽:電壓晶體管伏安特性 2390 0

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