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先進(jìn)封裝

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先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級封裝、系統(tǒng)級封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)?，F(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類（FlipChip，Bumping），晶圓級封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

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先進(jìn)封裝技術(shù)

先進(jìn)封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展

Cu-Cu 低溫鍵合技術(shù)是先進(jìn)封裝的核心技術(shù)，相較于目前主流應(yīng)用的 Sn 基軟釬焊工藝，其互連節(jié)距更窄、導(dǎo) 電導(dǎo)熱能力更強(qiáng)、可靠性更優(yōu). 文中對應(yīng)用于先...

2023-06-20 標(biāo)簽：集成電路封裝晶體管 3505 0

先進(jìn)封裝之面板芯片級封裝(PLCSP)簡介

今天我們來介紹PLCSP（Panel Level Chip Scale Packaging）。同理，PLCSP是一種將面板級封裝（PLP）和芯片尺寸封裝...

2023-06-19 標(biāo)簽：芯片 pcb 晶圓 2031 0

3D硅堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)之3DFabric

Fab 6 是臺積電首個一體式先進(jìn)封裝測試工廠，是臺積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準(zhǔn)備好量產(chǎn)臺積電 SoIC 封裝技術(shù)。請記住，當(dāng)臺積電說量...

2023-06-19 標(biāo)簽：臺積電封裝技術(shù)先進(jìn)封裝 658 0

Chiplet和異構(gòu)集成對先進(jìn)封裝技術(shù)的影響

隨著摩爾定律的放緩以及前沿節(jié)點(diǎn)復(fù)雜性和成本的增加，先進(jìn)封裝正在成為將多個裸片集成到單個封裝中的關(guān)鍵解決方案，并有可能結(jié)合成熟和先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。

2023-06-16 標(biāo)簽：摩爾定律封裝技術(shù)5G 1204 0

先進(jìn)封裝Chiplet的優(yōu)缺點(diǎn)

先進(jìn)封裝是對應(yīng)于先進(jìn)圓晶制程而衍生出來的概念，一般指將不同系統(tǒng)集成到同一封裝內(nèi)以實(shí)現(xiàn)更高效系統(tǒng)效率的封裝技術(shù)。

2023-06-13 標(biāo)簽：封裝技術(shù)晶體管 chiplet 666 0

先進(jìn)封裝：成后摩爾時代提升性能的主要技術(shù)

封裝技術(shù)的發(fā)展史是芯片性能不斷提高、系統(tǒng)不斷小型化的歷史。封裝是半導(dǎo)體晶圓制造的后道工序之一，目的是支撐、保護(hù)芯片，使芯片與外界電路連接、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能等...

2023-06-11 標(biāo)簽：pcb 封裝技術(shù)后摩爾時代 1615 0

Chiplet架構(gòu)的前世今生

?? 今天，最先進(jìn)的大算力芯片研發(fā)，正展現(xiàn)出一種拼搭積木式的“角逐”。誰的“拆解”和“拼搭”方案技高一籌，誰就更有機(jī)會在市場上贏得一席之地。隨著chip...

2023-05-26 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)soc chiplet 2848 0

什么是先進(jìn)半導(dǎo)體封裝？先進(jìn)封裝技術(shù)的四大增長動力

機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能等數(shù)據(jù)豐富的應(yīng)用程序是數(shù)據(jù)中心、5G 和自動駕駛汽車等廣泛應(yīng)用程序的關(guān)鍵數(shù)據(jù)推動因素。要運(yùn)行這些應(yīng)用程序，需要一個強(qiáng)大的處理器，其基礎(chǔ)...

2023-05-26 標(biāo)簽：集成電路封裝技術(shù)半導(dǎo)體封裝 1313 0

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探（二）

另外一個將TGV填實(shí)的方案是將金屬導(dǎo)電膠進(jìn)行TGV填實(shí)。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點(diǎn)是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié)，使其接近基材，避免了因CTE不匹配造成的失效。

2023-05-25 標(biāo)簽：BGA CMP MEMS器件 7633 0

基于XY平面延伸和Z軸延伸的先進(jìn)封裝技術(shù)

無論是采用Fan-in還是Fan-out，WLP晶圓級封裝和PCB的連接都是采用倒裝芯片形式，芯片有源面朝下對著印刷電路板，可以實(shí)現(xiàn)最短的電路徑，這也保...

2023-05-24 標(biāo)簽：pcb SiP 封裝技術(shù) 4810 0

先進(jìn)封裝之TSV及TGV技術(shù)初探

隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進(jìn)封裝是后摩爾時代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點(diǎn)，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...

2023-05-23 標(biāo)簽：晶圓 SiP 封裝 5268 0

SiP與先進(jìn)封裝有什么區(qū)別

SiP系統(tǒng)級封裝（System in Package)，先進(jìn)封裝HDAP（High Density Advanced Package)，兩者都是當(dāng)今芯片...

2023-05-19 標(biāo)簽：芯片 SiP 封裝 2240 0

【先進(jìn)封裝】Underfill的基本特性

底部填充膠在使用過程中，主要的問題是空洞，出現(xiàn)空洞的原因與其封裝設(shè)計(jì)、點(diǎn)膠工藝、固化參數(shù)等相關(guān)。而要分析空洞就需要對Underfill的特性有個基本的認(rèn)...

2023-05-18 標(biāo)簽：封裝設(shè)計(jì)先進(jìn)封裝 1227 0

Wafer半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)Advance Package簡介

? ? ? ? 審核編輯：彭靜

2023-05-18 標(biāo)簽：封裝技術(shù)Wafer 先進(jìn)封裝 1632 0

什么是先進(jìn)封裝/Chiple？先進(jìn)封裝Chiplet優(yōu)劣分析

Chiplet即小芯片之意，指在晶圓端將原本一顆“大”芯片（Die）拆解成幾個“小”芯片（Die），因單個拆解后的“小”芯片在功能上是不完整的，需通過封...

2023-05-15 標(biāo)簽：摩爾定律半導(dǎo)體制程 chiplet 1987 0

典型先進(jìn)封裝選型和設(shè)計(jì)要點(diǎn)

隨著電子產(chǎn)品趨向于功能化、輕型化、小型化、低功耗和異質(zhì)集成，以系統(tǒng)級封裝（System in Package, siP）、圓片級封裝( Wafer Le...

2023-05-11 標(biāo)簽：芯片電子產(chǎn)品 SiP 1017 0

先進(jìn)封裝之芯片熱壓鍵合技術(shù)

回顧過去五六十年，先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。提升的主要動力來自三極管數(shù)量的增加來實(shí)現(xiàn)，而單個三極管性能的提高對維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的作...

2023-05-11 標(biāo)簽：芯片三極管晶圓 1411 0

介紹先進(jìn)封裝基板的發(fā)展趨勢和技術(shù)方向

封裝基板作為半導(dǎo)體封裝的載體，為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐和散熱。

2023-05-09 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 asic 2361 0

先進(jìn)封裝之芯片熱壓鍵合技術(shù)

先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。提升的主要動力來自三極管數(shù)量的增加來實(shí)現(xiàn)，而單個三極管性能的提高對維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的作用。

2023-05-08 標(biāo)簽：三極管 CMP 邏輯芯片 1096 0

先進(jìn)封裝之熱壓鍵合工藝的基本原理

熱壓鍵合工藝的基本原理與傳統(tǒng)擴(kuò)散焊工藝相同，即上下芯片的Cu 凸點(diǎn)對中后直接接觸，其實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散鍵合的主要影響參數(shù)是溫度、壓力、時間. 由于電鍍后的Cu...

2023-05-05 標(biāo)簽：晶圓服務(wù)器芯片先進(jìn)封裝 4292 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個以電子技術(shù)知識為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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74LS00是一個內(nèi)部擁有四個獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝技術(shù)

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