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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級(從毫米級到亞微米級),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。
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光刻是通過一系列操作,除去外延片表面特定部分的工藝,在半導(dǎo)體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。
2023-10-08 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體器件光刻技術(shù) 2155 0
濕法去膠液的種類有哪些?去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上,但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠,那么這個時候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù),是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡單地說,光刻類似照相復(fù)制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽...
IRDS路線圖光刻委員會主席、廈門大學(xué)嘉庚創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)業(yè)運(yùn)營平臺科技總監(jiān),廈門大學(xué)半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院客座教授Mark Neisser對光刻技術(shù)與半導(dǎo)體...
2023-07-24 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)照明系統(tǒng) 1515 0
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
基于機(jī)器學(xué)習(xí)的逆向光刻技術(shù)
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
2023-06-29 標(biāo)簽:集成電路機(jī)器學(xué)習(xí)光刻技術(shù) 730 0
EUV微影技術(shù)的落實(shí)延續(xù)了摩爾定律的壽命,這里的EUV指的其實(shí)是一種紫外光源,跟過去光刻技術(shù)所采用的光源比起來,EUV的波長更短,因此有助于大幅提高分辨率。
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
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硅基光刻技術(shù)在柔性電子器件制造中的應(yīng)用
近日,湖南大學(xué)段輝高教授團(tuán)隊(duì)通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝,用于柔性及不規(guī)則(曲面、懸空)襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造,為高...
面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
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3D NAND沉積技術(shù)的特點(diǎn)及挑戰(zhàn)
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件,掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。 這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn),...
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