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標簽 > 光刻技術
隨著半導體技術的發(fā)展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級(從毫米級到亞微米級),已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學反應,從而生成電路圖。限...
目前,我國硅拋光片行業(yè)需求量約6億平方英寸,國內產量5.19億平方英寸,部分產品還需要從國外進口滿足國內市場需求,近幾年我國集成電路行業(yè)平穩(wěn)發(fā)展,給硅拋...
除了阻抗,還有其他問題,即EUV光掩模基礎設施。光掩模是給定IC設計的主模板。面膜開發(fā)之后,它被運到制造廠。將掩模放置在光刻工具中。該工具通過掩模投射光...
直接成像(DI)是指計算機將電路設計圖形轉換為機器可識別的圖形數(shù)據(jù),并由計算機控制光束調制器實現(xiàn)圖形的實時顯示,再通過光學成像系統(tǒng)將圖形光束聚焦成像至已...
濕法去膠液的種類有哪些?去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
光刻技術通過光刻膠將圖案成功轉移到硅片上,但是在相關制程結束后就需要完全除去光刻膠,那么這個時候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
光刻工藝流程示意圖:半導體制造的核心環(huán)節(jié)
光刻材料一般特指光刻膠,又稱為光刻抗蝕劑,是光刻技術中的最關鍵的功能材料。這類材料具有光(包括可見光、紫外光、電子束等)反應特性,經過光化學反應后,其溶...
德克薩斯州奧斯汀 - 國際Sematech公司的研究經理表示,他們對將光刻技術擴展到生產的可能性更加樂觀一組專家回顧了下一代157納米曝光工具關鍵材料的...
計算光刻 (Computational Lithography)技術是指利用計算機輔助技術來增強光刻工藝中圖形轉移保真度的一種方法,它是分辦率增強技術(...
氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式,它通過非常簡單的儀器實現(xiàn)原子分辨率,并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學有效地聚焦低能電子和...
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